2N7002W Folha de dados, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricante Electrônico

2N7002W Folha de dados, PDF

Numero de Pecas buscadas : coincidente com & começa com "2N7002W" - Total : 66 ( 1/4 Page)

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Diodes Incorporated	2N7002W	68Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 4P-1
ON Semiconductor	2N7002W	71Kb/5P	Small Signal MOSFET April, 2015 ??Rev. 6
Diodes Incorporated	2N7002W	81Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 9 - 2
Diodes Incorporated	2N7002W	127Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 14 - 2
ON Semiconductor	2N7002W	107Kb/5P	Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N?묬hannel, SC??0 April, 2007 ??Rev. 2
Fairchild Semiconductor	2N7002W	266Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002W	332Kb/3P	Small Signal MOSFET
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002W	112Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Micro Commercial Compon...	2N7002W	94Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Pan Jit International I...	2N7002W	161Kb/5P	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002W	158Kb/3P	300m Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002W	187Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Unisonic Technologies	2N7002W	158Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002W	216Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
TECH PUBLIC Electronics...	2N7002W	1Mb/5P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Formosa MS	2N7002W	121Kb/9P	SMD MOSFET
Yangzhou yangjie electr...	2N7002W	624Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Micro Commercial Compon...	2N7002W	196Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Weitron Technology	2N7002W	104Kb/4P	N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor	2N7002W	297Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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Breve descrição de 2N7002W

O 2N7002W é um modelo específico de um MOSFET de canal N (transistor de efeito de campo de óxido de metal-óxido-semicondutor). Os MOSFETs são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos para sua capacidade de controlar e amplificar sinais eletrônicos. O 2N7002W foi projetado para aplicações de baixa potência e é comumente usado para fins de comutação e amplificação.

Aqui estão algumas especificações importantes do 2N7002W MOSFET:

Tipo de transistor: n-canal MOSFET
Tensão máxima da fonte de drenagem (VDS): 60V
Tensão máxima da fonte de porta (VGs): ± 20V
Corrente máxima de drenagem contínua (ID): 115mA
Dissipação de energia máxima (PD): 360MW
Tensão limite (VTH): normalmente em torno de 1,5V
Na resistência (RDS (ON)): normalmente em torno de 5Ω em VGS = 4,5V

O MOSFET 2N7002W é comumente usado para aplicações de comutação de baixa tensão. Oferece uma tensão de baixo limite, o que significa que pode ser facilmente controlado por sinais de baixa tensão. A resistência é relativamente baixa, permitindo operações de comutação eficientes.

O W no nome do modelo normalmente indica que o MOSFET foi projetado para a tecnologia de montagem de superfície (SMT) e vem em um pequeno pacote de contorno (SOT-323 ou similar).

Equivalente para 2N7002W

O 2N7002W é um tipo específico de MOSFET de canal n (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal) comumente usado em aplicações de comutação de baixa potência. Embora uma substituição exata com o mesmo número de peça possa não estar prontamente disponível, existem opções alternativas que podem ser consideradas. Aqui estão algumas substituições em potencial para o MOSFET 2N7002W:

BS170: O BS170 é um MOSFET de canal n com uma corrente de drenagem máxima de 500mA e uma tensão máxima de fonte de drenagem de 60V. Possui características elétricas semelhantes ao 2N7002W e pode ser usado como substituto em muitas aplicações de comutação de baixa potência.

BSS138: O BSS138 é outro MOSFET de canal n com uma corrente de drenagem máxima de 200mA e uma tensão máxima de fonte de drenagem de 50V. É comumente usado em aplicações de baixa potência e pode ser considerado como um substituto para o 2N7002W em determinados circuitos.

IRF5305: O IRF5305 é um MOSFET de potência com uma corrente de drenagem máxima de 31A e uma tensão máxima de fonte de drenagem de 55V. Embora tenha recursos de manuseio de corrente mais altos e uma classificação de tensão mais alta, ainda pode ser usado como substituto para o 2N7002W, dependendo dos requisitos específicos do circuito.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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