2N7002W Folha de dados(PDF) - Diodes Incorporated

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2N7002W Folha de dados (PDF) - Diodes Incorporated

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Fabricante Electrônico	DIODES [Diodes Incorporated]

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2N7002W Detalhes do produto

Description and Applications
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

• Motor Control
• Power Management Functions

Features and Benefits
• Low-On Resistance
• Low Gate Threshold Voltage
• Low Input Capacitance
• Fast Switching Speed
• Low Input/Output Leakage
• Ultra-Small Surface Mount Package
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• For automotive applications requiring specific change
control (i.e.: parts qualified to AEC-Q101, PPAP capable,
and manufactured in IATF 16949 certified facilities), please
refer to the related automotive grade (Q-suffix) part. A
listing can be found at
https://www.diodes.com/products/automotive/automotiveproducts/.
• This part is qualified to JEDEC standards (as references in
AEC-Q101) for High Reliability.
https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

Nº de peça semelhante - 2N7002W

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Weitron Technology	2N7002W	104Kb / 4P	N-Channel MOSFET
Diodes Incorporated	2N7002W	81Kb / 3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 9 - 2
Pan Jit International I...	2N7002W	161Kb / 5P	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002W	112Kb / 1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Fairchild Semiconductor	2N7002W	266Kb / 6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Descrição semelhante - 2N7002W

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	PHD83N03LT	282Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
	PHP112N06T	262Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-07 March 2001
	PHP47NQ10T	267Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 May 2001
	PHP78NQ03LT	292Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-14 November 2001
	SI4410DY	266Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02-05 July 2001
	SI4416DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-05 June 2001
	SI4420DY	254Kb / 12P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-28 May 2001
	SI9956DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
Fairchild Semiconductor	FDC633N	278Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild Semiconductor	FDT459N	89Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Sobre a Diodes Incorporated

Os Diodes Incorporated é uma empresa de capital aberto que projeta, fabrica e fornece uma ampla gama de semicondutores discretos, analógicos e de sinal misto e soluções de energia completas.
A empresa foi fundada em 1964 e está sediada em Plano, Texas.
Opera globalmente com centros de vendas, suporte e design na América do Norte, Europa e Ásia.
Os diodos Incorporated serve a uma variedade de indústrias, incluindo automotivo, comunicações, computação, consumidor e industrial.
A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo diodos, retificadores, transistores, reguladores de tensão, MOSFETs, motoristas de LED e dispositivos de proteção, entre outros.
A missão da empresa é fornecer aos clientes produtos de alta qualidade e de alta confiabilidade e excelente atendimento ao cliente.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, os Diodes Incorporated estão comprometidos em se tornar um fornecedor líder de soluções de gerenciamento de energia.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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