2N7002T Folha de dados, PDF - Datasheet Search Engine

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Included	2N7002T(3)

Fabricante Electrônico

2N7002T Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Diodes Incorporated	2N7002T	85Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 2 - 2
Diodes Incorporated	2N7002T	447Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 8 - 2
ON Semiconductor	2N7002T	417Kb/8P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor January 2015 Rev. 1.1
Diodes Incorporated	2N7002T	89Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Rev. 11 - 2 March 2009
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002T	156Kb/2P	Plastic-Encapsulated Transistors
Fairchild Semiconductor	2N7002T	333Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	121Kb/3P	Small Signal MOSFET
Weitron Technology	2N7002T	292Kb/4P	N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002T	148Kb/3P	300 mAmps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	337Kb/3P	N-Channel Enhancement MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002T	145Kb/4P	N-Channel Plastic-Encapsulate Transistor
Unisonic Technologies	2N7002T	162Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
WILLAS ELECTRONIC CORP	2N7002T	359Kb/2P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
Nanjing International G...	2N7002T	2Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
VBsemi Electronics Co.,...	2N7002T	1,003Kb/8P	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Tiger Electronic Co.,Lt...	2N7002T	1Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS
SEC Electronics Inc.	2N7002T	191Kb/3P	N-Channel Plastic- Encapsulate MOSFETS
Jiangsu High diode Semi...	2N7002T	3Mb/5P	SOT-523 Plastic-Encaps u late MOSFET
Jiangsu Changjiang Elec...	2N7002T	2Mb/5P	MOSFET (N-Channel)
Shanghai Leiditech Elec...	2N7002T	1Mb/3P	Voltage controlled small signal switch

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Breve descrição de 2N7002T

O 2N7002T é um MOSFET de canal N pequeno (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal). Os MOSFETs são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos para sua capacidade de controlar e amplificar sinais eletrônicos. O 2N7002T foi projetado para aplicações de baixa potência e é comumente usado para fins de comutação e amplificação.

Aqui estão algumas especificações importantes do 2N7002T MOSFET:

Tipo de transistor: n-canal MOSFET
Tensão máxima da fonte de drenagem (VDS): 60V
Tensão máxima da fonte de porta (VGs): ± 20V
Corrente máxima de drenagem contínua (ID): 115mA
Dissipação de energia máxima (PD): 360MW
Tensão limite (VTH): normalmente em torno de 1,5V
Na resistência (RDS (ON)): normalmente em torno de 5Ω em VGS = 4,5V

O MOSFET 2N7002T é comumente usado para aplicações de comutação de baixa tensão. Oferece uma tensão de baixo limite, o que significa que pode ser facilmente controlado por sinais de baixa tensão. A resistência é relativamente baixa, permitindo operações de comutação eficientes.

Equivalente para 2N7002T

O 2N7002T é um tipo específico de MOSFET de canal n (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal) usado comumente para aplicações de comutação de baixa potência. Embora uma substituição exata com o mesmo número de peça possa não estar prontamente disponível, existem opções alternativas que podem ser consideradas. Aqui estão algumas substituições em potencial para o MOSFET 2N7002T:

IRF5305: O IRF5305 é um MOSFET de canal n com uma corrente de drenagem máxima de 31A e uma tensão máxima de fonte de drenagem de 55V. Possui características elétricas semelhantes ao 2N7002T e pode ser usado como substituto em muitas aplicações de comutação de baixa potência.

BS170: O BS170 é outro MOSFET de canal n com uma corrente de drenagem máxima de 0,5A e uma tensão máxima de fonte de drenagem de 60V. É comumente usado em circuitos de comutação de baixa potência e pode ser usado como substituto para o 2N7002T em determinadas aplicações.

BSS138: O BSS138 é um MOSFET de canal N com uma corrente de drenagem máxima de 0,17a e uma tensão máxima de fonte de drenagem de 50V. É frequentemente usado em aplicações de comutação de baixa potência e pode ser considerado um substituto para o 2N7002T em circuitos adequados.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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