2N7002T Folha de dados(PDF) - Diodes Incorporated

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2N7002T Folha de dados (PDF) - Diodes Incorporated

2N7002T Datasheet PDF - Diodes Incorporated


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Fabricante Electrônico	DIODES [Diodes Incorporated]

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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Fabricante Electrônico	DIODES [Diodes Incorporated]

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2N7002T Detalhes do produto

Description and Applications
This new generation MOSFET has been designed to minimize the on state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management
applications.

• DC-DC Converters
• Power management functions
• Battery Operated Systems and Solid-State Relays
• Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays Memories, Transistors, etc

Features
•Low On-Resistance
• Low Gate Threshold Voltage
• Low Input Capacitance
• Fast Switching Speed
• Low Input/Output Leakage
• Ultra-Small Surface Mount Package
• Totally Lead Free, Full RoHS Compliant
• Halogen and Antimony Free. "Green" Device
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Mechanical Data
•Case: SOT523
• Case Material: Molded Plastic.“Green” Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0
• Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020
• Terminals: Matte Tin Finish annealed over Alloy 42 leadframe (Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208
• Terminal Connections: See Diagram
• Weight: 0.002 grams (approximate)

Nº de peça semelhante - 2N7002T

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Diodes Incorporated	2N7002T	447Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30301 Rev. 8 - 2
Galaxy Semi-Conductor H...	2N7002T	189Kb / 4P	Small Signal MOSFET Transistor
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002T	156Kb / 2P	Plastic-Encapsulated Transistors
Fairchild Semiconductor	2N7002T	333Kb / 6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002T	121Kb / 3P	Small Signal MOSFET

Descrição semelhante - 2N7002T

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	PHD83N03LT	282Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
	PHP112N06T	262Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-07 March 2001
	PHP47NQ10T	267Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 May 2001
	PHP78NQ03LT	292Kb / 14P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-14 November 2001
	SI4410DY	266Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02-05 July 2001
	SI4416DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-05 June 2001
	SI4420DY	254Kb / 12P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-28 May 2001
	SI9956DY	253Kb / 13P	N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01-16 July 2001
Fairchild Semiconductor	FDC633N	278Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild Semiconductor	FDT459N	89Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Sobre a Diodes Incorporated

Os Diodes Incorporated é uma empresa de capital aberto que projeta, fabrica e fornece uma ampla gama de semicondutores discretos, analógicos e de sinal misto e soluções de energia completas.
A empresa foi fundada em 1964 e está sediada em Plano, Texas.
Opera globalmente com centros de vendas, suporte e design na América do Norte, Europa e Ásia.
Os diodos Incorporated serve a uma variedade de indústrias, incluindo automotivo, comunicações, computação, consumidor e industrial.
A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo diodos, retificadores, transistores, reguladores de tensão, MOSFETs, motoristas de LED e dispositivos de proteção, entre outros.
A missão da empresa é fornecer aos clientes produtos de alta qualidade e de alta confiabilidade e excelente atendimento ao cliente.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, os Diodes Incorporated estão comprometidos em se tornar um fornecedor líder de soluções de gerenciamento de energia.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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