V40PWM10C Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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V40PWM10C Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

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Nome de Peças	V40PWM10C

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descrição Electrónicos

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A

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V40PWM10C Detalhes do produto

• Very low profile - typical height of 1.3 mm
• Trench MOS Schottky technology
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Nº de peça semelhante - V40PWM10C

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	V40PWM10C	142Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 17-Mar-2022
Vishay Siliconix	V40PWM10C	142Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 17-Mar-2022

Descrição semelhante - V40PWM10C

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	V10P6-M3	95Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A 04-May-15
	VBT2080S-M3	95Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	VBT3080C-M3	89Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	V35PW12	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PW15	122Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM10	123Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM15	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V35PWM45	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PW12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A 01-Jun-17
	V40PWM12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 01-Jun-17

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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