V20PW10 Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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V20PW10 Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

V20PW10 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Nome de Peças	V20PW10

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descrição Electrónicos	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V20PW10 Detalhes do produto

Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

FEATURES
• Very low profile - typical height of 1.3 mm
• Trench MOS Schottky technology
• Ideal for automated placement
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Nº de peça semelhante - V20PW10

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	V20PW10	131Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 11-May-2020
	V20PW10C	119Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jun-17
	V20PW10C	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A 17-Mar-2022
	V20PW10C	140Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A 17-Mar-2022
	V20PW10	131Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier 11-May-2020

Descrição semelhante - V20PW10

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	V15P45	91Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 19-Apr-11
	V10P20	82Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 15-Aug-13
	V10P45-M3	84Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 06-May-15
	V10PN50-M3	85Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 04-Dec-13
	V12P45-M3	85Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 05-May-15
	V15PM12	78Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 03-Jul-15
	V20PW10C	119Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jun-17
	V20PW12	119Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jun-17
	V6KM45DU	135Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A 26-Jul-2018
	V8KM60DU	135Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 2 A 18-Jul-2018

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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