IRFZ24V Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRFZ24V Folha de dados (PDF) - International Rectifier

IRFZ24V Datasheet PDF - International Rectifier


Nome de Peças	IRFZ24V

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)

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IRFZ24V Detalhes do produto

Description

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Optimized for SMPS Applications

Nº de peça semelhante - IRFZ24V

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRFZ24VL	124Kb / 10P	HEXFET Power MOSFET
	IRFZ24VLPBF	267Kb / 10P	HEXFET Power MOSFET
	IRFZ24VPBF	182Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRFZ24VS	124Kb / 10P	HEXFET Power MOSFET
	IRFZ24VSPBF	267Kb / 10P	HEXFET Power MOSFET

Descrição semelhante - IRFZ24V

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF530N	212Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)
	IRFD9014	177Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A)
	IRFD9024	178Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-1.6A)
	IRFL9014	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.8A)
	IRFP264N	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A)
	IRFR9024	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
	IRFRU024N	178Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A??
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ24NS	159Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ44VZ	298Kb / 12P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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