IRF530N Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRF530N Folha de dados (PDF) - International Rectifier

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)

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IRF530N Detalhes do produto

Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

Nº de peça semelhante - IRF530N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	IRF530N	97Kb / 7P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
Intersil Corporation	IRF530N	125Kb / 10P	22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF530N	286Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF530NL	618Kb / 10P	HEXFET Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF530NL	1Mb / 10P	Ultra Low On-Resistance

Descrição semelhante - IRF530N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRL530NSPBF	465Kb / 11P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.10廓 , ID=17A )
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ24V	200Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)
	IRFZ24NS	159Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFRU024N	178Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A??
	IRF9510S	176Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
	IRF9520N	95Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.8A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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