IRFI540N Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRFI540N Folha de dados (PDF) - International Rectifier

IRFI540N Datasheet PDF - International Rectifier


Nome de Peças	IRFI540N

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.052ohm, Id=20A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.052ohm, Id=20A)

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IRFI540N Detalhes do produto

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology

• Isolated Package

• High Voltage Isolation = 2.5KVRMS

• Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm

• Fully Avalanche Rated

Nº de peça semelhante - IRFI540N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRFI540NPBF	258Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRFI540NPBF	267Kb / 9P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
Infineon Technologies A...	IRFI540NPBF	505Kb / 9P	Advanced Process Technology 2017-04-27
International Rectifier	IRFI540NPBF	267Kb / 9P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

Descrição semelhante - IRFI540N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRF5210	125Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
	IRF5NJ540	115Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.052ohm, Id=22A*)
	IRFIZ34V	105Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=28mohm, Id=20A)
	IRFP460	163Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)
	IRFP460P	174Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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