IRF5210 Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRF5210 Folha de dados (PDF) - International Rectifier

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Nome de Peças	IRF5210

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)

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IRF5210 Detalhes do produto

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

P-Channel

Fully Avalanche Rated

Nº de peça semelhante - IRF5210

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Kersemi Electronic Co.,...	IRF5210	738Kb / 8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF5210	334Kb / 2P	P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF5210L	186Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF5210L	738Kb / 8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF5210L	272Kb / 2P	isc P-Channel MOSFET Transistor

Descrição semelhante - IRF5210

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF5210S	186Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
	IRF5305	124Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
	IRF5305S	171Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
	IRF9510S	176Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
	IRF9520N	95Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.8A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF9530NS	173Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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