IRFD9110 Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRFD9110 Folha de dados (PDF) - International Rectifier

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

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Descrição Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A)

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IRFD9110 Detalhes do produto

HEXFET technology is the key to International Rectififers advanced line of power MOSFET transistors.

■ P-Channel Versatility
■ For Automatic Insertion
■ Compact Plastic Package
■ End Stackable
■ Fast Switching
■ Low Drive Current
■ Easily Paralleled
■ Excellent Temperature Stability

Nº de peça semelhante - IRFD9110

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Intersil Corporation	IRFD9110	54Kb / 6P	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
Fairchild Semiconductor	IRFD9110	93Kb / 7P	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Harris Corporation	IRFD9110	342Kb / 6P	-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
International Rectifier	IRFD9110	218Kb / 6P	1-WATT RATED POWER MOSFETs
Vishay Siliconix	IRFD9110	1Mb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08

Descrição semelhante - IRFD9110

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF9510	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRF9510S	176Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRFBC40S	350Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A)
	IRFI734G	241Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.4A)
	IRFIBC40G	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
	IRFIBC40GLC	229Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
	IRFL9110	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A)
	IRFPC40	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A)
	IRFR9110	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A)
	IRFD9110PBF	1Mb / 8P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -0.70A )

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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