IRFD9110 Folha de dados(PDF)

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IRFD9110 Folha de dados (PDF) - Intersil Corporation

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Fabricante Electrônico	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Descrição Electrónicos

0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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Fabricante Electrônico	INTERSIL [Intersil Corporation]

Página de início	http://www.intersil.com/cda/home

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Descrição Electrónicos	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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IRFD9110 Detalhes do produto

This P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features
• 0.7A, 100V
• rDS(ON) = 1.200Ω
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance

Nº de peça semelhante - IRFD9110

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRFD9110	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A)
Fairchild Semiconductor	IRFD9110	93Kb / 7P	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Harris Corporation	IRFD9110	342Kb / 6P	-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
International Rectifier	IRFD9110	218Kb / 6P	1-WATT RATED POWER MOSFETs
Vishay Siliconix	IRFD9110	1Mb / 8P	Power MOSFET 07-Jul-08

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Descrição semelhante - IRFD9110

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Intersil Corporation	IRF9130	58Kb / 7P	-12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET February 1999
	IRF9150	57Kb / 7P	-25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET February 1999
	IRF9510	59Kb / 7P	3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	IRF9520	57Kb / 7P	6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFBC40	55Kb / 7P	6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFD9120	52Kb / 6P	1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFR9110	62Kb / 7P	3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1999
	RFL1N08	30Kb / 4P	1A, 80V and 100V, 1.200 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs September 1998
	RFL1N10L	29Kb / 5P	1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET September 1998
Fairchild Semiconductor	IRFD9110	93Kb / 7P	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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Sobre a Intersil Corporation

A Intersil Corporation era uma empresa de semicondutores americanos especializada no design e fabricação de circuitos analógicos de alto desempenho e integrados de sinal misto.
A empresa foi fundada em 1967 e era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia, conversão de dados e tecnologias de radiofrequência (RF).
Os produtos da Intersil foram usados em uma ampla gama de aplicações, como eletrônicos de consumo, industrial, telecomunicações e aeroespacial e defesa.
Em 2016, a Intersil foi adquirida pela Renesas Electronics Corporation, uma empresa de semicondutores japoneses.
A marca Intersil e a tecnologia continuam sendo desenvolvidas e vendidas como parte do portfólio de produtos da Renesas.

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