IRFBC40AS Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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IRFBC40AS Folha de dados (PDF) - International Rectifier

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

Página de início	http://www.irf.com

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Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)

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IRFBC40AS Detalhes do produto

SMPS MOSFET

Benefits
● Low Gate Charge Qg results in Simple
   Drive Requirement
● Improved Gate, Avalanche and dynamic
   dv/dt Ruggedness
● Fully Characterized Capacitance and
   Avalanche Voltage and Current
● Effective Coss Specified ( See AN 1001)

Applications
● Switch Mode Power Supply ( SMPS )
● Uninterruptable Power Supply
● High speed power switching

Nº de peça semelhante - IRFBC40AS

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	IRFBC40AS	342Kb / 8P	Power MOSFET 23-Jun-08
Inchange Semiconductor ...	IRFBC40AS	322Kb / 2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Vishay Siliconix	IRFBC40AS	387Kb / 10P	Power MOSFET 20-Sep-2021
International Rectifier	IRFBC40ASPBF	594Kb / 9P	HEXFET POWER MOSFET
Vishay Siliconix	IRFBC40ASPBF	342Kb / 8P	Power MOSFET 23-Jun-08

Descrição semelhante - IRFBC40AS

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF9510	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRF9510S	176Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
	IRFBC40A	97Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
	IRFBC40S	350Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A)
	IRFD9110	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A)
	IRFIBC40G	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
	IRFIBC40GLC	229Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=3.5A)
	IRFPC40	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A)
	IRFR9110	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A)
	IRFBC40PBF	3Mb / 7P	HEXFET POWER MOSFET (VDSS=600V , RDS(on)=1.2Ohm , ID=6.2A)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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