UPA807T Folha de dados(PDF) - NEC

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UPA807T Folha de dados (PDF) - NEC

UPA807T Datasheet PDF - NEC


Nome de Peças	UPA807T

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Fabricante Electrônico	NEC [NEC]

Página de início	http://www.nec.com/

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Descrição Electrónicos

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD

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Fabricante Electrônico	NEC [NEC]

Página de início	http://www.nec.com/

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Descrição Electrónicos	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD

UPA807T Folha de dados (HTML) - NEC

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UPA807T Detalhes do produto

FEATURES
• Low Current, High Gain
|S21e|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz
|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• A Super Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179)

Nº de peça semelhante - UPA807T

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
California Eastern Labs	UPA807T	252Kb / 12P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	UPA807T	273Kb / 10P	SILICON TRANSISTOR 1995
Renesas Technology Corp	UPA807T-T1	273Kb / 10P	SILICON TRANSISTOR 1995
California Eastern Labs	UPA807T-T1-A	252Kb / 12P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

Descrição semelhante - UPA807T

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	UPA808T	65Kb / 12P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
	UPA806T	49Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA809T	66Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPC805T	57Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA802T	53Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA803T	60Kb / 8P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA800T	51Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	2SC4225	41Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
	2SC4187	43Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD
	2SC5193	65Kb / 12P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR COMPACT MINI MOLD

Sobre a NEC

A NEC Corporation é uma empresa de tecnologia e eletrônica de tecnologia da informação japonesa. A empresa foi fundada em 1899 e está sediada em Tóquio, Japão. A NEC fornece uma ampla gama de produtos e serviços, incluindo tecnologia da informação, telecomunicações e eletrônicos. Seu portfólio inclui hardware, software e serviços de computador, soluções de rede, soluções de exibição e servidores corporativos e soluções de armazenamento.

A NEC é conhecida por sua experiência no campo da tecnologia da informação e sua capacidade de fornecer produtos e serviços inovadores e de alta qualidade. A empresa possui operações e instalações em vários países do mundo e tem uma forte presença na região da Ásia-Pacífico. A NEC trabalha em estreita colaboração com seus clientes para fornecer soluções personalizadas que atendam aos seus requisitos e necessidades específicos.

Além de seus negócios principais, a NEC também é ativa nos campos de pesquisa e desenvolvimento e está envolvida em vários projetos relacionados a tecnologias avançadas, como inteligência artificial, redes 5G e Internet das Coisas (IoT). A NEC está comprometida em fornecer soluções sustentáveis que apóiam o desenvolvimento da sociedade e melhoram a qualidade de vida das pessoas em todo o mundo.

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