UPA803T Folha de dados(PDF) - NEC

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UPA803T Folha de dados (PDF) - NEC

UPA803T Datasheet PDF - NEC


Nome de Peças	UPA803T

Download	UPA803T Download

Tamanho do Arquivo	60.48 Kbytes

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Fabricante Electrônico	NEC [NEC]

Página de início	http://www.nec.com/

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Descrição Electrónicos

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

UPA803T Datasheet (PDF)

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Nome de Peças	UPA803T

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Fabricante Electrônico	NEC [NEC]

Página de início	http://www.nec.com/

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Descrição Electrónicos	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

UPA803T Folha de dados (HTML) - NEC

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UPA803T Detalhes do produto

µPA803T has built-in 2 transistors which were developed for UHF.

FEATURES
• High fT
    fT = 5.5 GHz TYP. (@VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz)
• Small Collector Capacitance
    Cob = 0.7 pF TYP. (@VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz)
• A Surface Mounting Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4570)

Nº de peça semelhante - UPA803T

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	UPA800T	51Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
California Eastern Labs	UPA800T	192Kb / 9P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	UPA800T	211Kb / 8P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
California Eastern Labs	UPA800T	446Kb / 8P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NEC	UPA800T-T1	51Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

Descrição semelhante - UPA803T

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	UPA800T	51Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA802T	53Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA806T	49Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA807T	56Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
	UPA808T	65Kb / 12P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
	UPA809T	66Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA813T	53Kb / 8P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4570 SMALL MINI MOLD
	UPA833TF	74Kb / 16P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN THIN-TYPE SMALL MINI MOLD PACKAGE
	UPC805T	57Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
Renesas Technology Corp	2SC1623-T1B-A	229Kb / 7P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

Sobre a NEC

A NEC Corporation é uma empresa de tecnologia e eletrônica de tecnologia da informação japonesa. A empresa foi fundada em 1899 e está sediada em Tóquio, Japão. A NEC fornece uma ampla gama de produtos e serviços, incluindo tecnologia da informação, telecomunicações e eletrônicos. Seu portfólio inclui hardware, software e serviços de computador, soluções de rede, soluções de exibição e servidores corporativos e soluções de armazenamento.

A NEC é conhecida por sua experiência no campo da tecnologia da informação e sua capacidade de fornecer produtos e serviços inovadores e de alta qualidade. A empresa possui operações e instalações em vários países do mundo e tem uma forte presença na região da Ásia-Pacífico. A NEC trabalha em estreita colaboração com seus clientes para fornecer soluções personalizadas que atendam aos seus requisitos e necessidades específicos.

Além de seus negócios principais, a NEC também é ativa nos campos de pesquisa e desenvolvimento e está envolvida em vários projetos relacionados a tecnologias avançadas, como inteligência artificial, redes 5G e Internet das Coisas (IoT). A NEC está comprometida em fornecer soluções sustentáveis que apóiam o desenvolvimento da sociedade e melhoram a qualidade de vida das pessoas em todo o mundo.

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