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AML1005H3N9STS Folha de dados (PDF) - Renesas Technology Corp
AML1005H3N9STS Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Nome de Peças AML1005H3N9STS
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Tamanho do Arquivo   176.65 Kbytes
página   16 Pages
Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de início  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descrição Electrónicos NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

AML1005H3N9STS Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de início  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descrição Electrónicos NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

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AML1005H3N9STS Detalhes do produto

FEATURES
• The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
   NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz
• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG3032M14.
• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)




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Sobre a Renesas Technology Corp

A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados ​​em uma ampla gama de aplicações.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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