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NESG2021M05 Folha de dados (PDF) - Renesas Technology Corp

NESG2021M05 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Descrição Electrónicos NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

NESG2021M05 Datasheet (PDF)

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Descrição Electrónicos NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

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NESG2021M05 Detalhes do produto

FEATURES
• This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications.
   ⎯ NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
   ⎯ NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz
• Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package




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Sobre a Renesas Technology Corp


A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados ​​em uma ampla gama de aplicações.

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