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2SC5508-T2B-A Folha de dados (PDF) - Renesas Technology Corp
2SC5508-T2B-A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Nome de Peças 2SC5508-T2B-A
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Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de início  http://www.renesas.com
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Descrição Electrónicos NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

2SC5508-T2B-A Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Descrição Electrónicos NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

2SC5508-T2B-A Folha de dados (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC5508-T2B-A Detalhes do produto

NPN SILICON RF TRANSISTOR
FOR LOW-NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) 

FEATURES
• Ideal for low-noise, high-gain amplification applications
• NF = 1.1 dB TYP., Ga = 16 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• Maximum available power gain: MAG = 19 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
• fT = 25 GHz technology adopted
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package 




Nº de peça semelhante - 2SC5508-T2B-A

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
NEC		 2SC5508-T2 NEC-2SC5508-T2 Datasheet
106Kb / 16P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN SUPER MINI-MOLD
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Descrição semelhante - 2SC5508-T2B-A

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
California Eastern Labs		 NESG2046M33 CEL-NESG2046M33 Datasheet
292Kb / 4P		 NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
NESG204619 CEL-NESG204619 Datasheet
320Kb / 4P		 NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
logo
Renesas Technology Corp		 2SC3355 RENESAS-2SC3355 Datasheet
248Kb / 10P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
NESG2021M05 RENESAS-NESG2021M05 Datasheet
159Kb / 14P		 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
NESG2031M05 RENESAS-NESG2031M05 Datasheet
158Kb / 14P		 NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
2SC4093 RENESAS-2SC4093 Datasheet
175Kb / 9P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
2SC5606 RENESAS-2SC5606 Datasheet
201Kb / 9P		 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
logo
California Eastern Labs		 NE85634 CEL-NE85634 Datasheet
216Kb / 6P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
NE68719 CEL-NE68719 Datasheet
189Kb / 5P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
logo
Renesas Technology Corp		 2SC5761 RENESAS-2SC5761 Datasheet
305Kb / 16P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION
May 2003
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Sobre a Renesas Technology Corp

A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados ​​em uma ampla gama de aplicações.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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