NESG340034 Folha de dados(PDF)

Os motores de busca de Datasheet de Componentes eletrônicos

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NPN Silicon Germanium RF Transistor

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NESG340034 Detalhes do produto

DESCRIPTION
The NESG340034 is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

FEATURES
• NF = 0.65 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 15 mA, f = 1 GHz
• Po (1 dB) = 24 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =12.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS3) : fT = 10 GHz
• This product is improvement of ESD
• 3-pin power minimold (34 PKG)

APPLICATIONS
• Suitable for up to 1 GHz applications.
e.g. LNA (Low Noise Amplifier) or booster amplifier for Digital-TV.

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Renesas Technology Corp	NESG340034-A	137Kb / 2P	RF & Microwave device

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Sobre a Renesas Technology Corp

A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados em uma ampla gama de aplicações.

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