RF2416PCBA Folha de dados(PDF) - RF Micro Devices

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RF2416PCBA Folha de dados (PDF) - RF Micro Devices

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DUAL-BAND 2.7V LOW NOISE AMPLIFIER

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RF2416PCBA Detalhes do produto

Product Description
The RF2416 is a dual-band low noise amplifier with bypass switch designed for use as a front-end for 950MHz GSM and DCS1800/PCS1900 applications. It may also be used for dual-band cellular/PCS application. The 900MHz LNA is a single-stage amplifier with bypass switch; the 1800/1900 LNA is a two-stage amplifier with bypass switch. Both amplifiers have excellent noise figure and high linearity in both high gain and bypass/low gain mode. The device is packaged in a 3mmx3mm, 12 pin, leadless chip carrier.

Features
• Low Noise and High Intercept Point
• Dual-Band Application GSM900 and DCS1800/PCS1900
• Power Down Control
• Switchable Gain

Typical Applications
• GSM/DCS Dual-Band Handsets
• Cellular/PCS Dual-Band Handsets
• General Purpose Amplification
• Commercial and Consumer Systems

Nº de peça semelhante - RF2416PCBA

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
RF Micro Devices	RF2411	260Kb / 14P	LOW NOISE AMPLIFIER/MIXER
	RF2411	333Kb / 14P	LOW NOISE AMPLIFIER/MIXER
	RF2411	441Kb / 14P	LOW NOISE AMPLIFIER/MIXER
	RF2411PCBA-H	260Kb / 14P	LOW NOISE AMPLIFIER/MIXER
	RF2411PCBA-H	333Kb / 14P	LOW NOISE AMPLIFIER/MIXER

Descrição semelhante - RF2416PCBA

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
RF Micro Devices	RF2363	167Kb / 10P	DUAL-BAND 3V LOW NOISE AMPLIFIER
	RF2368	191Kb / 8P	DCS/PCS 2.7V LOW NOISE AMPLIFIER
	RF2492	483Kb / 22P	DUAL-BAND LOW NOISE AMPLIFIER/MIXER
TriQuint Semiconductor	TGA1307-EPU	745Kb / 7P	Ka Band Low Noise Amplifier
RF Micro Devices	RF2363	198Kb / 10P	DUAL-BAND 3V LOW NOISE AMPLIFIER
RF Micro Devices	RF2363	341Kb / 12P	DUAL-BAND 3V LOW NOISE AMPLIFIER
United Monolithic Semic...	CHA1077A	508Kb / 8P	W-band Low Noise Amplifier
M/A-COM Technology Solu...	MAAL-010528	450Kb / 7P	X-Band Low Noise Amplifier
TriQuint Semiconductor	TGA4508	359Kb / 11P	Ka Band Low Noise Amplifier
United Monolithic Semic...	CHA1077A	127Kb / 6P	W-band Low Noise Amplifier

Sobre a RF Micro Devices

A RF Micro Devices (RFMD) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de componentes e soluções de radiofrequência (RF) para comunicações sem fio. A empresa foi fundada em 1991 e estava sediada em Greensboro, Carolina do Norte. A RFMD forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo amplificadores de energia, transceptores, filtros e outros componentes de RF que foram usados em dispositivos móveis, módulos Wi-Fi e Bluetooth e outros sistemas sem fio.

A RFMD era conhecida por sua experiência em tecnologia de RF e sua capacidade de fornecer produtos inovadores e de alto desempenho. A empresa teve um forte foco em pesquisa e desenvolvimento e esteve ativamente envolvido no desenvolvimento de novas tecnologias e soluções para a indústria sem fio. Os produtos da RFMD foram amplamente utilizados em uma variedade de aplicações e ajudaram a apoiar o crescimento da indústria sem fio.

Em 2015, a RFMD foi adquirida pela Skyworks Solutions, Inc., fornecedora líder de semicondutores analógicos de alto desempenho. A aquisição permitiu que a SkyWorks expandisse seu portfólio de produtos e ofertas no mercado de RF e fortalecesse ainda mais sua posição na indústria sem fio.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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