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V40150C Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix
V40150C Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Nome de Peças V40150C
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Tamanho do Arquivo   168.66 Kbytes
página   5 Pages
Fabricante Electrônico  VISHAY [Vishay Siliconix]
Página de início  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Descrição Electrónicos Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

V40150C Datasheet (PDF)

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V40150C Datasheet PDF - Vishay Siliconix

Nome de Peças V40150C
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Fabricante Electrônico  VISHAY [Vishay Siliconix]
Página de início  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Descrição Electrónicos Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

V40150C Folha de dados (HTML) - Vishay Siliconix




Nº de peça semelhante - V40150C

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Vishay Siliconix		 V40150C VISHAY-V40150C Datasheet
162Kb / 5P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
24-Jun-09
V40150C VISHAY-V40150C Datasheet
130Kb / 5P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
23-Mar-11
V40150C VISHAY-V40150C Datasheet
163Kb / 5P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
24-Jun-09
V40150C VISHAY-V40150C Datasheet
163Kb / 5P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier5
24-Jun-09
V40150C VISHAY-V40150C Datasheet
158Kb / 5P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A
17-Aug-15
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Descrição semelhante - V40150C

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Vishay Siliconix		 V20150S VISHAY-V20150S Datasheet
167Kb / 5P		 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A
19-May-08
V30200C VISHAY-V30200C Datasheet
158Kb / 5P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A
31-Jul-08
V40100G VISHAY-V40100G Datasheet
167Kb / 5P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A
19-May-08
VB20150S-M3 VISHAY-VB20150S-M3 Datasheet
89Kb / 4P		 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5.0 A
30-Jun-14
V20M120C VISHAY-V20M120C Datasheet
141Kb / 5P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A
13-Dec-16
V30M120M-E3 VISHAY-V30M120M-E3 Datasheet
100Kb / 4P		 Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A
11-May-16
V40M150C-M3 VISHAY-V40M150C-M3 Datasheet
128Kb / 4P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A
10-May-16
VB20M120C-E3 VISHAY-VB20M120C-E3 Datasheet
92Kb / 4P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A
03-Jan-17
VF20M120C-M3 VISHAY-VF20M120C-M3 Datasheet
91Kb / 4P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A
02-Dec-13
V40150C-E3 VISHAY-V40150C-E3 Datasheet
157Kb / 6P		 Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A
13-Dec-16
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Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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