V20150S Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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V20150S Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

V20150S Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Nome de Peças	V20150S

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A

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V20150S Detalhes do produto

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reserve battery protection.

Nº de peça semelhante - V20150S

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	V20150S	131Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11
	V20150S	163Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V20150S	152Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 13-Aug-13
	V20150S	142Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Nov-17
	V20150S-E3	152Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 13-Aug-13

Descrição semelhante - V20150S

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30120S	165Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40150C	168Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 19-May-08
	VB20150S-M3	89Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5.0 A 30-Jun-14
	V20M120C	141Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	V30M120M-E3	100Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 11-May-16
	V40M150C-M3	128Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 10-May-16
	VB20M120C-E3	92Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 03-Jan-17
	VF20M120C-M3	91Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 02-Dec-13
	V40150C-E3	157Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 13-Dec-16

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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