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SCTW40N120G2VAG Folha de dados (PDF) - STMicroelectronics
SCTW40N120G2VAG Datasheet PDF - STMicroelectronics
Nome de Peças SCTW40N120G2VAG
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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de início  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Descrição Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

SCTW40N120G2VAG Datasheet (PDF)

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SCTW40N120G2VAG Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de início  http://www.st.com
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Descrição Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package

SCTW40N120G2VAG Folha de dados (HTML) - STMicroelectronics


SCTW40N120G2VAG Detalhes do produto

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Product status link SCTW40N120G2VAG Product summary

Applications
■ Charger
■ Power supply for renewable energy systems
■ High frequency DC-DC converters




Nº de peça semelhante - SCTW40N120G2VAG

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
STMicroelectronics		 SCTW40N120G2V STMICROELECTRONICS-SCTW40N120G2V Datasheet
205Kb / 12P		 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mΩ typ., 36 A in an HiP247 package
09-Jun-2021
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Descrição semelhante - SCTW40N120G2VAG

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
STMicroelectronics		 SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
SCTH100N120G2-AG STMICROELECTRONICS-SCTH100N120G2-AG Datasheet
439Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200 V, 75 A, 30 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
23-Jul-2020
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Sobre a STMicroelectronics

A STMicroelectronics é um fabricante multinacional de eletrônicos e semicondutores com sede em Genebra, Suíça.

A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, sensores, amplificadores de energia e circuitos integrados para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.

Fundada em 1987, a STMicroelectronics possui operações em mais de 100 países e é uma das maiores empresas de semicondutores do mundo.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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