MU100W Folha de dados(PDF) - ZIEHL industrie-elektronik GmbH + Co KG

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Measuring-Transducer for Potentiometers MU100W for 0-500 廓 ... 0-10 k廓

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Nº de peça semelhante - MU100W

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
CSB Battery Co., Ltd.	MU1000	568Kb / 2P	a long service life battery up to 20years expected life under normal float charge
ZIEHL industrie-elektro...	MU1000K	320Kb / 1P	Universal-Measuring-Transducer MU1000K Temperature Pt 100 (RTD), DC Current and Voltage, Isolating Amplifier
CSB Battery Co., Ltd.	MU1000S	1Mb / 2P	Cells Per Unit 1 Voltage Per Unit 2
CSB Battery Co., Ltd.	MU1000S	382Kb / 1P	Valve Regulated Lead Acid Battery
ZIEHL industrie-elektro...	MU1001K	870Kb / 1P	Universal-Measuring-Transducer MU1001K DC Voltage, Isolating Amplifier

Descrição semelhante - MU100W

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	PDTA114E	181Kb / 14P	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓 2004 Aug 02
	PDTB113Z	138Kb / 10P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTB123Y	138Kb / 10P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTC114E	181Kb / 14P	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓 2004 Aug 05
	PDTD123Y	132Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTC114EMB	699Kb / 11P	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 1-21 June 2012
Renesas Technology Corp	UPA2812T1L	173Kb / 7P	P-channel MOSFEF ??0 V, ??0 A, 4.8 m廓
NXP Semiconductors	PDTD123Y	132Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
Nexperia B.V. All right...	PDTA114EMB	845Kb / 12P	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓
Nexperia B.V. All right...	PQMD3	733Kb / 17P	NPN/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓

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