2SB1430 Folha de dados(PDF) - NEC

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2SB1430 Folha de dados (PDF) - NEC

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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

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2SB1430 Detalhes do produto

The 2SB1430 is a Darlington power transistor that can directly drive from the IC output. This transistor is ideal for motor drivers and solenoid drivers in such as OA and FA equipment.
In addition, this transistor features a small resin-molded insulation type package, thus contributing to high-density mounting and mounting cost reduction.

FEATURES
• High hFE due to Darlington connection:
hFE ≥ 2,000 (VCE = 2 V, IC = 2 A)
• Mold package that does not require an insulating board or insulation bushing

Nº de peça semelhante - 2SB1430

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Savantic, Inc.	2SB1430	218Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	2SB1430	250Kb / 2P	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
Savantic, Inc.	2SB1430	219Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2SB1430	128Kb / 2P	Silicon PNP Darlington Power Transistor
Renesas Technology Corp	2SB1430	267Kb / 8P	SILICON POWER TRANSISTOR 2002

Descrição semelhante - 2SB1430

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	2SB601	110Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD2217	100Kb / 4P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1431	132Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1432	106Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1578	129Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
	2SD560	90Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD2165	118Kb / 5P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD1843	76Kb / 4P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SB1432	229Kb / 8P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SB1431	257Kb / 8P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

Sobre a NEC

A NEC Corporation é uma empresa de tecnologia e eletrônica de tecnologia da informação japonesa. A empresa foi fundada em 1899 e está sediada em Tóquio, Japão. A NEC fornece uma ampla gama de produtos e serviços, incluindo tecnologia da informação, telecomunicações e eletrônicos. Seu portfólio inclui hardware, software e serviços de computador, soluções de rede, soluções de exibição e servidores corporativos e soluções de armazenamento.

A NEC é conhecida por sua experiência no campo da tecnologia da informação e sua capacidade de fornecer produtos e serviços inovadores e de alta qualidade. A empresa possui operações e instalações em vários países do mundo e tem uma forte presença na região da Ásia-Pacífico. A NEC trabalha em estreita colaboração com seus clientes para fornecer soluções personalizadas que atendam aos seus requisitos e necessidades específicos.

Além de seus negócios principais, a NEC também é ativa nos campos de pesquisa e desenvolvimento e está envolvida em vários projetos relacionados a tecnologias avançadas, como inteligência artificial, redes 5G e Internet das Coisas (IoT). A NEC está comprometida em fornecer soluções sustentáveis que apóiam o desenvolvimento da sociedade e melhoram a qualidade de vida das pessoas em todo o mundo.

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