2SB601 Folha de dados(PDF) - NEC

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2SB601 Folha de dados (PDF) - NEC

2SB601 Datasheet PDF - NEC


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Fabricante Electrônico	NEC [NEC]

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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

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Descrição Electrónicos	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

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2SB601 Detalhes do produto

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

FEATURES
• High-DC current gain due to Darlington connection
• Low collector saturation voltage
• Low collector cutoff current
• Ideal for use in direct drive from IC output for magnet drivers such
as treminal equipment or cash registers

Nº de peça semelhante - 2SB601

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Savantic, Inc.	2SB601	117Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2SB601	177Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	2SB601	150Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistors
Savantic, Inc.	2SB601	118Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2SB601	133Kb / 2P	Silicon PNP Darlington Power Transistor

Descrição semelhante - 2SB601

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	2SD2217	100Kb / 4P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1431	132Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1430	115Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1432	106Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SB1578	129Kb / 6P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
	2SD560	90Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD2165	118Kb / 5P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
	2SD1843	76Kb / 4P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SB1432	229Kb / 8P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SB1431	257Kb / 8P	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

Sobre a NEC

A NEC Corporation é uma empresa de tecnologia e eletrônica de tecnologia da informação japonesa. A empresa foi fundada em 1899 e está sediada em Tóquio, Japão. A NEC fornece uma ampla gama de produtos e serviços, incluindo tecnologia da informação, telecomunicações e eletrônicos. Seu portfólio inclui hardware, software e serviços de computador, soluções de rede, soluções de exibição e servidores corporativos e soluções de armazenamento.

A NEC é conhecida por sua experiência no campo da tecnologia da informação e sua capacidade de fornecer produtos e serviços inovadores e de alta qualidade. A empresa possui operações e instalações em vários países do mundo e tem uma forte presença na região da Ásia-Pacífico. A NEC trabalha em estreita colaboração com seus clientes para fornecer soluções personalizadas que atendam aos seus requisitos e necessidades específicos.

Além de seus negócios principais, a NEC também é ativa nos campos de pesquisa e desenvolvimento e está envolvida em vários projetos relacionados a tecnologias avançadas, como inteligência artificial, redes 5G e Internet das Coisas (IoT). A NEC está comprometida em fornecer soluções sustentáveis que apóiam o desenvolvimento da sociedade e melhoram a qualidade de vida das pessoas em todo o mundo.

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