NE461M02 Folha de dados(PDF) - NEC

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NE461M02 Folha de dados (PDF) - NEC

NE461M02 Datasheet PDF - NEC


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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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NE461M02 Detalhes do produto

DESCRIPTION
The NE461M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization system and direct nitride passivation of the surface of the chip. The NE461M02 is an excellent choice for low noise amplifiers in the VHF to UHF band and is suitable for CATV and other telecommunication applications.

FEATURES
• HIGH COLLECTOR CURRENT: 250 mA MAX
• NEW HIGH GAIN POWER MINI-MOLD PACKAGE (SOT-89 TYPE)
• HIGH OUTPUT POWER AT 1 dB COMPRESSION: 27 dBm TYP at 1 GHz
• HIGH IP3: 37 dBm TYP at 1 GHz

Nº de peça semelhante - NE461M02

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	NE46100	137Kb / 10P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
California Eastern Labs	NE46100	284Kb / 11P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NEC	NE46134	137Kb / 10P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
California Eastern Labs	NE46134	284Kb / 11P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NEC	NE46134-T1	137Kb / 10P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR

Descrição semelhante - NE461M02

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	2SC5336	49Kb / 6P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
	2SC5337	59Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
	2SC5338	71Kb / 10P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
	NE856M02	63Kb / 7P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
California Eastern Labs	NE856M02	206Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
Renesas Technology Corp	2SC5336	180Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
Renesas Technology Corp	2SC5338	186Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
California Eastern Labs	2SC5336	1Mb / 7P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
FutureWafer Tech Co.,Lt...	2SC1815	891Kb / 7P	Low Frequency Amplifier NPN Epitaxial Silicon Transistor 27-NOV-2021 V 2.0
FutureWafer Tech Co.,Lt...	2SC945	932Kb / 7P	Low Frequency Amplifier NPN Epitaxial Silicon Transistor 27-NOV-2021 V 2.0

Sobre a NEC

A NEC Corporation é uma empresa de tecnologia e eletrônica de tecnologia da informação japonesa. A empresa foi fundada em 1899 e está sediada em Tóquio, Japão. A NEC fornece uma ampla gama de produtos e serviços, incluindo tecnologia da informação, telecomunicações e eletrônicos. Seu portfólio inclui hardware, software e serviços de computador, soluções de rede, soluções de exibição e servidores corporativos e soluções de armazenamento.

A NEC é conhecida por sua experiência no campo da tecnologia da informação e sua capacidade de fornecer produtos e serviços inovadores e de alta qualidade. A empresa possui operações e instalações em vários países do mundo e tem uma forte presença na região da Ásia-Pacífico. A NEC trabalha em estreita colaboração com seus clientes para fornecer soluções personalizadas que atendam aos seus requisitos e necessidades específicos.

Além de seus negócios principais, a NEC também é ativa nos campos de pesquisa e desenvolvimento e está envolvida em vários projetos relacionados a tecnologias avançadas, como inteligência artificial, redes 5G e Internet das Coisas (IoT). A NEC está comprometida em fornecer soluções sustentáveis que apóiam o desenvolvimento da sociedade e melhoram a qualidade de vida das pessoas em todo o mundo.

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