SS8550 Folha de dados, PDF - Datasheet Search Engine

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Termina em	SS8550(3) CSS8550(1)
Included	SS8550(13) SS8550-(2)

Fabricante Electrônico

SS8550 Folha de dados, PDF

Numero de Pecas buscadas : Start with "SS8550" - Total : 46 ( 1/3 Page)

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Jiangsu High diode Semi...	SS8550--SOT-323	2Mb/4P	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors
Micro Commercial Compon...	SS8550-C	217Kb/2P	PNP Silicon Transistors
	SS8550-C	371Kb/3P	PNP Silicon Transistors
	SS8550-C	371Kb/3P	PNP Silicon Transistors
	SS8550-D	217Kb/2P	PNP Silicon Transistors
	SS8550-D	371Kb/3P	PNP Silicon Transistors
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	SS8550-H	565Kb/3P	PNP Transistors
Comchip Technology	SS8550-H-HF	545Kb/5P	General Purpose Transistors REV:B
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	SS8550-J	565Kb/3P	PNP Transistors
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	SS8550-L	565Kb/3P	PNP Transistors
Comchip Technology	SS8550-L-HF	545Kb/5P	General Purpose Transistors REV:B
Jiangsu High diode Semi...	SS8550-SOT-23	2Mb/4P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	SS8550-SOT23	1Mb/3P	PNP Transistors
First Silicon Co., Ltd	SS8550-TA	576Kb/6P	Plastic-Encapsulate Transistors
Jiangsu High diode Semi...	SS8550-TO-92	2Mb/4P	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
Fairchild Semiconductor	SS8550B	41Kb/4P	2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.
	SS8550BBU	628Kb/1P	FAIRCHILD Small Signal Transistors
	SS8550C	41Kb/4P	2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.
	SS8550CBU	353Kb/3P	SS8550 2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation
	SS8550CBU	628Kb/1P	FAIRCHILD Small Signal Transistors

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Breve descrição de SS8550

O SS8550 é um tipo específico de transistor PNP de sinal pequeno comumente usado para aplicações de amplificação e comutação. Aqui estão algumas especificações importantes do transistor SS8550:

Corrente do coletor (IC): A corrente máxima do coletor é tipicamente em torno de 1,5 amperes (a). Este valor indica a corrente máxima que pode fluir através do terminal de coletores do transistor quando está totalmente ligado.

Tensão do coletor-emissor (VCEO): A tensão máxima que pode ser aplicada entre o coletor e o terminal do emissor quando o terminal base é aberto em circuito. Normalmente, é cerca de 25 volts.

Dissipação de energia (PD): a potência máxima que o transistor pode manusear sem exceder seus limites de temperatura especificados. Para o SS8550, normalmente é de cerca de 900 miliwatts (MW).

Ganho de corrente CC (HFE): o ganho de corrente CC, ou HFE, representa a capacidade de amplificação do transistor. Para o SS8550, ele normalmente varia de 120 a 320, dependendo das condições específicas e do viés.

Frequência de transição (FT): A frequência de transição indica a frequência máxima na qual o transistor pode ampliar efetivamente os sinais. Para o SS8550, normalmente varia de 100 a 300 megahertz (MHz).

Equivalente para SS8550

O SS8550 é um transistor de junção bipolar PNP (BJT) que é comumente usado em aplicações de amplificação e comutação de baixa potência. Algumas substituições possíveis para o SS8550 incluem:

BC556: Este é um PNP BJT com uma corrente de colecionador máximo de 100 Ma e uma tensão máxima de coletor-emissor de 65V. Possui características semelhantes ao SS8550 e está amplamente disponível.

2N3906: Este é outro PNP BJT comumente usado em aplicações de amplificação e comutação de baixa potência. Possui uma corrente máxima de colecionador de 200 mA e uma tensão máxima de coletor-emissor de 40V.

S9013: Este também é um PNP BJT com uma corrente de coletor máximo de 500 mA e uma tensão máxima de coletor-emissor de 40V. Possui características semelhantes ao SS8550 e é comumente usado como substituto.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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