IRFP250N Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico

IRFP250N Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Infineon Technologies A...	IRFP250N	126Kb/8P	HEXFET® Power MOSFET
International Rectifier	IRFP250N	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
Inchange Semiconductor ...	IRFP250N	169Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250N	2Mb/8P	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
International Rectifier	IRFP250NPBF	208Kb/9P	HEXFET짰 Power MOSFET
International Rectifier	IRFP250NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP250NPBF	272Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250NPBF	2Mb/8P	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
International Rectifier	IRFP250NPBF	186Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRFP250N	333Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

Breve descrição de IRFP250N

O IRFP250N é um MOSFET de canal N da Infineon Technologies, projetado para aplicações de alta potência que exigem alta eficiência e comutação rápida.

Características principais:
Tipo: MOSFET de canal N.
Tensão Dreno-Fonte (Vds): 200V.
Corrente de drenagem contínua (Id): 30A.
Dissipação de energia: 214W.
Rds (ligado): 0,075 ohms.
Aplicações comuns:
Fontes de alimentação: Usadas em fontes de alimentação chaveadas de alta tensão.
Acionamentos de motor: Adequado para acionamento de motores de alta potência.
Amplificadores de áudio: Frequentemente usados em estágios de amplificadores de áudio de alto desempenho.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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