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Fabricante Electrônico

IRFP250 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
STMicroelectronics	IRFP250	255Kb/8P	N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET Sep-2000
Samsung semiconductor	IRFP250	518Kb/7P	N-Channel Power Mosfets
Vishay Siliconix	IRFP250	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRFP250	1Mb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRFP250	522Kb/10P	Power MOSFET 24-Jan-2021
	IRFP250	1Mb/11P	Power MOSFET 21-Mar-11
Fairchild Semiconductor	IRFP250	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
International Rectifier	IRFP250	493Kb/8P	N-Channel(Hexfet Transistors)
International Rectifier	IRFP250	122Kb/8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
IXYS Corporation	IRFP250	47Kb/2P	Standard Power MOSFET
IXYS Corporation	IRFP250	49Kb/1P	High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
Inchange Semiconductor ...	IRFP250	444Kb/2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
List of Unclassifed Man...	IRFP250	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRFP250A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP250A	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250A	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs
Fairchild Semiconductor	IRFP250B	669Kb/8P	200V N-Channel MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFP250B	451Kb/7P	200V N-Channel MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRFP250B	2Mb/7P	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs

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Breve descrição de IRFP250

O IRFP250 é um MOSFET de canal N de alta potência projetado para comutação e amplificação em aplicações de eletrônica de potência, como inversores, fontes de alimentação, acionamentos de motores e amplificadores de áudio. Originalmente fabricado pela International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies), o IRFP250 é valorizado por sua alta capacidade de processamento de tensão, robusta capacidade de corrente e baixa resistência de ativação, tornando-o adequado para sistemas de média a alta potência.

Este MOSFET é classificado para uma tensão dreno-fonte (V_DS) de 200 V e pode suportar correntes de dreno contínuas de até 30 A, com uma dissipação máxima de potência de cerca de 200 W quando devidamente dissipado. Ele apresenta um R_DS(on) relativamente baixo (tipicamente em torno de 0,085 Ω) e uma tensão de limiar de porta de 2,0 a 4,0 V, permitindo que opere eficientemente com drivers de porta padrão. Embora não seja um MOSFET de nível lógico, é adequado para uso com sinais de acionamento de porta de 10 V comumente utilizados em circuitos de comutação de potência.

Embalado em um gabinete TO-247, o IRFP250 oferece excelente desempenho térmico e foi projetado para montagem em dissipadores de calor para gerenciar o calor gerado durante operações de comutação de alta corrente.

No geral, o IRFP250 é um MOSFET de potência robusto e confiável que oferece desempenho de comutação eficiente e alta capacidade de processamento de corrente para uma ampla gama de projetos industriais, automotivos e eletrônicos de alta potência.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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