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Fabricante Electrônico

IRF9540 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Samsung semiconductor	IRF9540	508Kb/12P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Samsung semiconductor	IRF9540	210Kb/5P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRF9540	159Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Vishay Siliconix	IRF9540	1Mb/8P	Power MOSFET 20-Jun-08
Samsung semiconductor	IRF9540	381Kb/6P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Harris Corporation	IRF9540	424Kb/7P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9540	4Mb/7P	Power MOSFET
International Rectifier	IRF9540	125Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
Nanjing International G...	IRF9540	685Kb/2P	TO-220-3L Plas ti c-E n c a p s u late MOSFETS
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	IRF9540	1Mb/6P	P-Channel MOSFET Rev:2023A2
Inchange Semiconductor ...	IRF9540	371Kb/2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
Intersil Corporation	IRF9540	59Kb/7P	19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1999
List of Unclassifed Man...	IRF9540	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRF9540N	125Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9540N	738Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9540N	334Kb/2P	P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9540NL	187Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9540NL	1Mb/10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9540NL	273Kb/2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9540NLPBF	331Kb/11P	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117m廓 , ID = -23A )

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Breve descrição de IRF9540

O IRF9540 é um MOSFET de potência de canal P projetado para aplicações de comutação de baixa tensão e alta corrente, tornando-o uma escolha popular em fontes de alimentação, controle de motores, conversores CC-CC e circuitos de proteção de baterias. Fabricado pela International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies) e outros fornecedores, o IRF9540 é reconhecido por sua construção robusta, facilidade de acionamento e desempenho confiável em circuitos de média potência.

O IRF9540 é classificado para uma tensão dreno-fonte (V_DS) de -100 V e pode suportar até -23 A de corrente de dreno contínua com dissipação de calor adequada. Ele apresenta uma baixa resistência de ativação (R_DS(on)), normalmente em torno de 0,117 ohms, o que ajuda a reduzir as perdas por condução e melhorar a eficiência geral. Embora não seja um MOSFET de nível lógico, pode ser facilmente controlado com circuitos de acionamento de porta padrão de 10 V.

Embalado em um gabinete TO-220, o IRF9540 oferece excelente desempenho térmico e facilidade de montagem em dissipadores de calor para melhor manuseio de energia. É frequentemente utilizado como chave seletora de alta tensão em drivers de motores em ponte H ou como parte de proteção contra inversão de polaridade e arranjos de comutação de carga em circuitos CC.

No geral, o IRF9540 é um MOSFET de canal P confiável e eficiente que fornece uma solução econômica para comutação de alta tensão e aplicações de controle de média potência em uma ampla gama de projetos eletrônicos.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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