IRF9530 Folha de dados, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricante Electrônico

IRF9530 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Samsung semiconductor	IRF9530	508Kb/12P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Samsung semiconductor	IRF9530	378Kb/6P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRF9530	566Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF9530	158Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Intersil Corporation	IRF9530	63Kb/7P	12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1999
International Rectifier	IRF9530	449Kb/6P	TRANSISTORS
Inchange Semiconductor ...	IRF9530	303Kb/2P	isc P-Channel Mosfet Transistor
SYC Electronica	IRF9530	155Kb/6P	12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Guangdong Kexin Industr...	IRF9530	1Mb/3P	P-Channel MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF9530	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Seme LAB	IRF9530-220M	18Kb/2P	P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
International Rectifier	IRF9530N	113Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9530N	2Mb/7P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9530N	335Kb/2P	P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9530NL	173Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9530NL	1Mb/10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9530NL	273Kb/2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9530NLPBF	758Kb/10P	Advanced Process Technology Surface Mount
	IRF9530NLPBF	767Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF9530NPBF	123Kb/9P	HEXFET짰 Power MOSFET

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Breve descrição de IRF9530

O IRF9530 é um MOSFET de canal P, que é um tipo de transistor usado para ampliar ou alternar sinais eletrônicos. Ao contrário de suas contrapartes de canal n, a corrente de origem dos MOSFETs de canal P quando a tensão aplicada à porta é menor que a tensão de origem (tensão de fonte de porta negativa para dispositivos de modo de aprimoramento). Eles são comumente usados em aplicações em que a comutação de carga é controlada pelo lado do solo ou negativo do circuito.

As principais características do IRF9530 incluem:

VDSS (tensão de decomposição da fonte de drenagem): Esta é a tensão máxima que pode ser aplicada do dreno para a fonte com o portão curto à fonte, que para o IRF9530 normalmente está em torno de -100V.

ID (corrente de drenagem contínua): O IRF9530 pode lidar com uma quantidade significativa de corrente contínua, geralmente classificada em torno de -12a, tornando -o adequado para aplicações de alta corrente.

RDS (ON) (em resistência à fonte de drenagem): a resistência no estado entre o dreno e a fonte quando o MOSFET é ligado; Para o IRF9530, isso é relativamente baixo, o que ajuda a reduzir as perdas de energia.

VGS (TH) (tensão do limite da porta): A tensão na qual o MOSFET começa a ligar, que para dispositivos de canal P como o IRF9530, é uma tensão negativa, geralmente em torno de -2V a -4V.

Dissipação de energia: A quantidade máxima de potência que o IRF9530 pode se dissipar é importante para a compreensão das limitações térmicas e normalmente é em torno de 48W.

Pacote: está disponível no TO-220 e pacotes similares comumente usados para dispositivos de energia.

Temperatura operacional: A faixa de temperatura operacional é um fator para estabilidade e confiabilidade e, para o IRF9530, geralmente é entre -55 ° C e +150 ° C.

MOSFETs de canal P como o IRF9530 são úteis na criação de circuitos de acionamento mais simples, especialmente em configurações de comutação de alto lado, pois não exigem uma bomba de carga ou outro circuito complexo para aplicar uma tensão positiva de fonte de porta. Eles são comuns em circuitos de gerenciamento de energia, controles motores e outras aplicações de troca de energia.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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