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Fabricante Electrônico

IRF830 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	IRF830	58Kb/7P	PowerMOS transistor Avalanche energy rated March 1999 Rev 1.000
STMicroelectronics	IRF830	92Kb/8P	N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
ON Semiconductor	IRF830	119Kb/3P	Power Field Effect Transistor August, 2006 ??Rev. 1
Vishay Siliconix	IRF830	135Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Intersil Corporation	IRF830	56Kb/7P	4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
Kersemi Electronic Co.,...	IRF830	670Kb/7P	Power MOSFET
Fairchild Semiconductor	IRF830	141Kb/6P	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V
Suntac Electronic Corp.	IRF830	225Kb/4P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF830	95Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF830	205Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Silikron Semiconductor ...	IRF830	452Kb/6P	High current, high speed switching
Comset Semiconductor	IRF830	109Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Nell Semiconductor Co.,...	IRF830	342Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF830	122Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V
New Jersey Semi-Conduct...	IRF830	122Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450 V/500 V
Inchange Semiconductor ...	IRF830	418Kb/3P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Transys Electronics	IRF830	282Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
First Components Intern...	IRF830	259Kb/5P	4.5A 500V N CHANNEL POWER MOSFET
International Rectifier	IRF830	5Mb/30P	Drives 1 x 70W HID lamp
International Rectifier	IRF830	355Kb/16P	High Power Factor/Low THD

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Breve descrição de IRF830

O IRF830 é um tipo específico de MOSFET de potência (transistor de efeito de campo de óxido de metal-óxido-semicondutor). Aqui estão algumas informações sobre o IRF830 MOSFET:

Fabricante: O MOSFET IRF830 é comumente fabricado por várias empresas de semicondutores, por isso pode estar disponível em vários fabricantes.

Tipo: é um MOSFET de potência de canal n, o que significa que possui uma tensão positiva aplicada ao terminal do portão para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de drenagem e fonte.

Classificações de tensão e corrente: O MOSFET IRF830 normalmente possui uma tensão máxima de fonte de drenagem (VDS) de 500 volts e uma classificação contínua de corrente de drenagem (ID) de 4,5 amperes. Ele também possui uma classificação máxima de dissipação de energia (PD) de cerca de 75 watts.

Tipo de pacote: O MOSFET IRF830 geralmente está disponível em um pacote TO-220, que fornece uma opção de montagem de orifício por meio de fácil instalação em uma PCB.

Recursos: O MOSFET IRF830 oferece recursos como baixa resistência, alta velocidade de comutação e boas características térmicas. É adequado para várias aplicações, incluindo fontes de alimentação, controle de motor e circuitos de comutação de uso geral.

Equivalente para IRF830

Aqui estão algumas opções alternativas que podem ser consideradas substituições para o IRF830 MOSFET:

IRF840: O IRF840 é um MOSFET de potência comumente usado que pode servir como substituto para o IRF830. Possui classificações de tensão e corrente semelhantes, tornando -o adequado para muitas aplicações.

IRF840A: O IRF840A é uma variante do IRF840 com maior resistência térmica. Oferece melhores recursos de dissipação de calor e pode ser usado como substituto para o IRF830 em aplicações de alta potência.

IRF840B: O IRF840B é outra variante do IRF840 com menor capacitância de entrada. Ele fornece características de comutação mais rápidas e pode ser usado como substituto para o IRF830 em aplicativos onde são desejadas velocidades de comutação mais rápidas.

IRFZ44: O IRFZ44 é um MOSFET de potência com tensão semelhante e classificações de corrente à IRF830. É amplamente utilizado em várias aplicações e pode servir como um substituto adequado em muitos casos.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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