IRF740 Folha de dados, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricante Electrônico

IRF740 Folha de dados, PDF

Numero de Pecas buscadas : coincidente com & começa com "IRF740" - Total : 135 ( 1/7 Page)

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
STMicroelectronics	IRF740	93Kb/8P	N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Oct-1998
Vishay Siliconix	IRF740	135Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF740	276Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF740	157Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF740	154Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V
Fairchild Semiconductor	IRF740	894Kb/10P	400V N-Channel MOSFET
Intersil Corporation	IRF740	56Kb/7P	10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
Suntac Electronic Corp.	IRF740	100Kb/3P	POWER MOSFET
Dc Components	IRF740	209Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Nell Semiconductor Co.,...	IRF740	342Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF740	71Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
First Components Intern...	IRF740	444Kb/3P	10A 400V N CHANNEL POWER MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF740	345Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs
Inchange Semiconductor ...	IRF740	279Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
SYC Electronica	IRF740	234Kb/7P	N - CHANNEL 400V - 0.48 W - 10 A - TO-220 PowerMESHÔ MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF740	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Analog Devices	IRF7401	279Kb/22P	Thermoelectric Cooler Controller REV. D
Analog Devices	IRF7401	416Kb/24P	Thermoelectric Cooler Controller 11/03-Data Sheet Changed from REV. B to REV. C.
International Rectifier	IRF7401	118Kb/9P	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.022ohm)
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	IRF7401	402Kb/8P	N-Channel MOSFET Rev:2023A2

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Breve descrição de IRF740

O IRF740 é um MOSFET de potência (transistor de efeito de campo de óxido de óxido metal) comumente usado em circuitos eletrônicos para aplicações de comutação e amplificação de alta potência. Faz parte da série IRF de Power MOSFETs e é conhecida por sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões. Aqui estão alguns recursos e especificações importantes do IRF740 MOSFET:

Polaridade: N-canal.

O IRF740 é um MOSFET de canal n, o que significa que usa fluxo de elétrons para controlar a corrente elétrica.
Tensão de fonte de drenagem (VDS): normalmente classificada em 400V.

A tensão máxima que pode ser aplicada entre os terminais de drenagem e fonte quando o MOSFET está no estado off.
Corrente de drenagem contínua (ID): normalmente classificada em 10a.

A corrente máxima que o MOSFET pode lidar continuamente no estado ON.
Na resistência (RDS (ON): normalmente baixo, geralmente na faixa de milhões de milhões.

A resistência entre os terminais de dreno e fonte quando o MOSFET está totalmente ligado.
Tensão do limiar do portão (VGS (TH)): normalmente em torno de 2V a 4V.

A tensão necessária para ligar o MOSFET.
Tensão da fonte de porta (VGs): geralmente classificada até ± 20V.

A tensão máxima que pode ser aplicada entre os terminais do portão e da fonte.
Pacote: o IRF740 está normalmente disponível nos pacotes TO-220 ou TO-220AB, que fornecem um bom desempenho térmico e facilidade de montagem em dissipadores de calor para resfriamento.

APLICAÇÕES: O MOSFET IRF740 é comumente usado em aplicações de alta potência, como suprimentos de alimentação de comutação, circuitos de controle do motor, estágios de saída do amplificador e outras aplicações que requerem comutação de alta corrente.

Dissipação de calor: O IRF740 pode gerar calor durante a operação; portanto, o gerenciamento térmico adequado, incluindo o calor do calor, pode ser necessário para aplicações de alta potência.

Classificação de energia Avalanche: O IRF740 possui uma classificação de energia de avalanche, que especifica a quantidade de energia que o MOSFET pode absorver com segurança durante picos de tensão transitória.

Equivalente para IRF740

O IRF740 é um MOSFET de potência de canal N projetado para aplicações de comutação de alta velocidade, apresentando uma tensão máxima de fonte de drenagem de 400V e uma corrente de drenagem contínua de 10A. Vários MOSFETs oferecem características semelhantes e podem servir como substitutos:

IRF740A:

Tensão máxima da fonte de drenagem: 400V
Corrente de drenagem contínua: 10A
Carga total do portão: 36 nC
Pacote: TO-220AB
IRF740LC:

Tensão máxima da fonte de drenagem: 400V
Corrente de drenagem contínua: 10A
Baixa capacitância para melhor desempenho de comutação
Pacote: TO-220AB
IRFB13N50A:

Tensão máxima da fonte de drenagem: 500V
Corrente de drenagem contínua: 13A
Carga total do portão: 94 nC
Pacote: TO-220AB
IRFB17N50L:

Tensão máxima da fonte de drenagem: 500V
Corrente de drenagem contínua: 17A
Baixa resistência para comutação eficiente
Pacote: TO-220AB
Ao selecionar uma substituição, considere os seguintes fatores:

Classificações de tensão e corrente: Certifique-se de que o MOSFET substituto possa lidar com os níveis de tensão e corrente necessários em seu circuito.
On-Resistance (R_DS(on)): Menor resistência resulta em maior eficiência e redução na geração de calor.
Carga de porta: Uma carga total de porta mais baixa pode levar a tempos de comutação mais rápidos e redução da perda de energia.
Tipo de pacote e configuração de pinos: confirme se o pacote físico e a pinagem são compatíveis com o layout do seu circuito.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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