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Fabricante Electrônico

IRF730 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	IRF730	59Kb/7P	PowerMOS transistor Avalanche energy rated March 1999 Rev 1.000
STMicroelectronics	IRF730	94Kb/8P	N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
Vishay Siliconix	IRF730	134Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF730	277Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF730	156Kb/8P	Power MOSFET 16-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF730	177Kb/6P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
Fairchild Semiconductor	IRF730	898Kb/10P	400V N-Channel MOSFET
Intersil Corporation	IRF730	54Kb/7P	5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
International Rectifier	IRF730	102Kb/8P	SMPS MOSFET
Suntac Electronic Corp.	IRF730	79Kb/3P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF730	95Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF730	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF730	128Kb/1P	N-channel mosfet transistor
Nell Semiconductor Co.,...	IRF730	341Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF730	848Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 350 V/400 V
First Components Intern...	IRF730	100Kb/3P	6.0A 400V N CHANNEL POWER MOSFET
International Rectifier	IRF730	355Kb/16P	High Power Factor/Low THD
First Silicon Co., Ltd	IRF730	365Kb/6P	6.0A, 400V, 1.0廓 N-CHANNEL POWER MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF730	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRF7301	113Kb/9P	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)

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Breve descrição de IRF730

O IRF730 é um MOSFET POWER (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal) projetado para aplicações de comutação em alta velocidade. É produzido por vários fabricantes de semicondutores, incluindo a Infineon Technologies, em semicondutores e outros. Aqui estão alguns recursos e especificações importantes do IRF730:

MOSFET TIPO: O IRF730 é um MOSFET no modo de aprimoramento do canal N. Em um MOSFET no modo de aprimoramento, o dispositivo conduz quando uma tensão é aplicada ao terminal do portão, diferentemente dos MOSFETs no modo de depleção, que conduzem por padrão até que uma tensão seja aplicada ao portão para desligá-los.

Classificações de tensão e corrente: o IRF730 normalmente opera com uma classificação de tensão de fonte de drenagem (VDS) de cerca de 400 volts e uma classificação contínua de corrente de drenagem (ID) de vários amperes, tornando-a adequada para aplicações de potência média.

Baixa resistência: o IRF730 apresenta baixa resistência (RDS (ON)), o que resulta em perdas reduzidas de condução quando o MOSFET está totalmente ligado. Essa característica é essencial para aplicativos eficientes de conversão de energia e comutação.

Comutação de alta velocidade: com sua carga baixa e capacitâncias intrínsecas, o IRF730 é capaz de comutação de alta velocidade, tornando-o adequado para aplicações que exigem frequências de comutação rápidas, como fontes de alimentação, acionamentos de motor e inversores.

Pacote TO-220: O IRF730 geralmente está disponível em um pacote TO-220, que fornece um bom desempenho térmico e facilidade de montagem em um dissipador de calor para dissipação de calor em aplicações de alta potência.

APLICAÇÃO: O IRF730 é comumente usado em vários circuitos e aplicações eletrônicas, incluindo reguladores de comutação, conversores DC-DC, circuitos de controle de motor, amplificadores de energia e relés eletrônicos.

Tensão de limiar de fonte de porta (VGS (TH)): A tensão do limite de fonte de porta especifica a tensão mínima necessária entre a porta e os terminais de origem para ligar o MOSFET. Esse parâmetro varia entre dispositivos individuais e deve ser considerado no projeto do circuito.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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