IRF640N Folha de dados, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricante Electrônico

IRF640N Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF640N	155Kb/11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
Fairchild Semiconductor	IRF640N	160Kb/11P	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
International Rectifier	IRF640N	240Kb/11P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRF640N	248Kb/12P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF640N	201Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
Inchange Semiconductor ...	IRF640N	338Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF640NL	155Kb/11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
Fairchild Semiconductor	IRF640NL	160Kb/11P	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
International Rectifier	IRF640NL	240Kb/11P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRF640NL	248Kb/12P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NL	1Mb/11P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF640NL	288Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF640NLPBF	300Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET
International Rectifier	IRF640NLPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NLPBF	8Mb/11P	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
International Rectifier	IRF640NLPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF640NPBF	300Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF640NPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NPBF	8Mb/11P	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
International Rectifier	IRF640NPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology

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Breve descrição de IRF640N

O IRF640N é um MOSFET (Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor) de potência de canal N projetado para comutação de alta velocidade e manuseio eficiente de energia em uma ampla gama de circuitos eletrônicos. Fabricado pela International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies), o IRF640N é amplamente utilizado em aplicações como fontes de alimentação, drivers de motores, conversores CC-CC e inversores.

Este MOSFET é capaz de lidar com altas tensões e correntes, com uma tensão dreno-fonte (V_DS) de 200 V, uma corrente de dreno contínua (I_D) de até 18 A e uma baixa resistência de ativação (R_DS(on)) de cerca de 0,18 ohms, tornando-o adequado para aplicações de média a alta potência. Ele também apresenta alta velocidade de comutação e baixa carga de porta, permitindo uma operação eficiente em alta frequência.

O IRF640N é normalmente encapsulado no formato TO-220, que oferece bom desempenho térmico e permite fácil dissipação de calor quando montado em PCBs. É frequentemente utilizado em circuitos que exigem controle e comutação de potência eficientes, especialmente em ambientes com alta tensão e demandas moderadas de corrente.

No geral, o IRF640N é um MOSFET de potência durável e confiável que oferece excelente desempenho para tarefas de comutação e amplificação em eletrônicos industriais e de consumo.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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