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Fabricante Electrônico

IRF630 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	IRF630	97Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF630	104Kb/9P	N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET Feb-1999
Vishay Siliconix	IRF630	159Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
	IRF630	283Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF630	579Kb/8P	Power MOSFET 21-Mar-11
STMicroelectronics	IRF630	190Kb/6P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF630	336Kb/14P	N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET 03-Aug-2006
TRANSYS Electronics Lim...	IRF630	141Kb/1P	Power MOSFET
International Rectifier	IRF630	176Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
Suntac Electronic Corp.	IRF630	137Kb/6P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF630	94Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF630	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF630	128Kb/1P	N-channel mosfet transistor
Comset Semiconductor	IRF630	106Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Kersemi Electronic Co.,...	IRF630	5Mb/8P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF630	620Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF630	854Kb/2P	FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
Intersil Corporation	IRF630	62Kb/7P	9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs June 1999

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Breve descrição de IRF630

O IRF630 é um MOSFET de potência de canal N projetado para uso em aplicações de comutação e amplificação de média tensão, incluindo fontes de alimentação, drivers de motor, conversores CC-CC e amplificadores de áudio. Fabricado pela International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies) e outros fornecedores, o IRF630 é valorizado por sua confiabilidade, velocidade de comutação decente e desempenho versátil em eletrônicos industriais e de consumo.

Este MOSFET é classificado para uma tensão dreno-fonte (V_DS) de 200 V e pode suportar correntes de dreno contínuas de até 9 A, desde que haja dissipação de calor suficiente. Possui uma resistência de ativação típica (R_DS(on)) de cerca de 0,4 ohms, o que ajuda a reduzir a perda de potência e o calor em aplicações de comutação. Com tempos de comutação rápidos e uma carga de porta relativamente baixa, o IRF630 é adequado para circuitos de velocidade moderadamente alta, onde é necessário um controle de potência eficiente.

Embalado no popular gabinete TO-220, o IRF630 oferece desempenho térmico sólido e é fácil de montar em dissipadores de calor, tornando-o adequado para projetos que exigem o gerenciamento de dissipação de energia moderada. Embora não seja um MOSFET de nível lógico, ele funciona bem em circuitos onde uma tensão de acionamento de porta mais alta (tipicamente em torno de 10 V) está disponível.

No geral, o IRF630 é um MOSFET de canal N versátil e amplamente utilizado que fornece uma solução confiável e econômica para tarefas de comutação de média tensão e média corrente em uma variedade de aplicações eletrônicas.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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