Os motores de busca de Datasheet de Componentes eletrônicos
  Portuguese  ▼
ALLDATASHEETPT.COM

X  

índice   IRF540(107) Resultado Recomendado.
Corresponde a,
parecido com
 IRF540(18) IRF540A(3) IRF540D(1) IRF540F(1) IRF540I(1) IRF540N(7) IRF540S(5) IRF540Z(3)
Começa com  IRF540*(78) IRF540F*(2) IRF540N*(25) IRF540P*(3) IRF540S*(8) IRF540Z*(19)
Termina em   No Data
Included  *IRF540*(8)
Fabricante Electrônico


IRF540 Folha de dados, PDF

Numero de Pecas buscadas : coincidente com & começa com "IRF540" - Total : 99 ( 1/5 Page)
Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
NXP Semiconductors
IRF540 PHILIPS-IRF540 Datasheet
86Kb/9P
N-channel TrenchMOS transistor
August 1999 Rev 1.100
logo
STMicroelectronics
IRF540 STMICROELECTRONICS-IRF540 Datasheet
53Kb/6P
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
Apr-1998
IRF540 STMICROELECTRONICS-IRF540 Datasheet
311Kb/8P
N-CHANNEL 100V - 0.055Ω - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET
Feb-2003
logo
Vishay Siliconix
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
1Mb/8P
Power MOSFET
16-Jun-08
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
282Kb/9P
Power MOSFET
21-Mar-11
IRF540 VISHAY-IRF540 Datasheet
156Kb/8P
Power MOSFET
02-Aug-2021
logo
Fairchild Semiconductor
IRF540 FAIRCHILD-IRF540 Datasheet
146Kb/5P
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
logo
International Rectifier
IRF540 IRF-IRF540 Datasheet
177Kb/6P
HEXFET POWER MOSFET
logo
Kersemi Electronic Co.,...
IRF540 KERSEMI-IRF540 Datasheet
6Mb/7P
Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
logo
Nell Semiconductor Co.,...
IRF540 NELLSEMI-IRF540 Datasheet
338Kb/7P
N-Channel Power MOSFET
logo
New Jersey Semi-Conduct...
IRF540 NJSEMI-IRF540 Datasheet
984Kb/3P
25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF540 NJSEMI-IRF540 Datasheet
103Kb/3P
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V
logo
First Silicon Co., Ltd
IRF540 FS-IRF540 Datasheet
1Mb/4P
N -Channel Power MOSFET (100V/27A)
logo
SYC Electronica
IRF540 SYC-IRF540 Datasheet
259Kb/7P
N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF540 ISC-IRF540 Datasheet
308Kb/2P
N-Channel Power MOSFET
logo
Nanjing International G...
IRF540 DGNJDZ-IRF540 Datasheet
2Mb/7P
TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
logo
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...
IRF540 DOINGTER-IRF540 Datasheet
1Mb/5P
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
logo
List of Unclassifed Man...
IRF540 ETC2-IRF540 Datasheet
2Mb/31P
SEMICONDUCTORS
logo
Fairchild Semiconductor
IRF540A FAIRCHILD-IRF540A Datasheet
256Kb/7P
Advanced Power MOSFET
logo
Inchange Semiconductor ...
IRF540A ISC-IRF540A Datasheet
280Kb/2P
isc N-Channel MOSFET Transistor

12 3 4 5


12 3 4 5



Breve descrição de IRF540


O IRF540 é um MOSFET de potência popular (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal) usado em circuitos eletrônicos para aplicações de comutação e amplificação de alta potência. Faz parte da série IRF de Power MOSFETS e é conhecida por sua capacidade de lidar com correntes e tensões relativamente altas. Aqui estão alguns recursos e especificações importantes do IRF540 MOSFET:

Polaridade: N-canal.

O IRF540 é um MOSFET de canal n, o que significa que usa fluxo de elétrons para alternar e controlar a corrente elétrica.
Tensão de fonte de drenagem (VDS): normalmente classificada em 100V.

A tensão máxima que pode ser aplicada entre os terminais de drenagem e fonte quando o MOSFET está no estado off.
Corrente de drenagem contínua (ID): normalmente classificada em 33a.

A corrente máxima que o MOSFET pode lidar continuamente no estado ON.
Na resistência (RDS (ON): normalmente baixo, geralmente na faixa de miliohm.

A resistência entre os terminais de dreno e fonte quando o MOSFET está totalmente ligado.
Tensão do limiar do portão (VGS (TH)): normalmente em torno de 2V a 4V.

A tensão necessária para ligar o MOSFET.
Tensão da fonte de porta (VGs): geralmente classificada até ± 20V.

A tensão máxima que pode ser aplicada entre os terminais do portão e da fonte.
Pacote: o IRF540 está normalmente disponível nos pacotes TO-220 ou TO-220AB, que fornecem um bom desempenho térmico e facilidade de montagem em dissipadores de calor para resfriamento.

APLICAÇÕES: O MOSFET IRF540 é comumente usado em aplicações de alta potência, como suprimentos de alimentação de comutação, circuitos de controle do motor, estágios de saída do amplificador e outras aplicações que requerem comutação de alta corrente.

Dissipação de calor: O IRF540 pode gerar calor durante a operação; portanto, o gerenciamento térmico adequado, incluindo o calor do calor, pode ser necessário para aplicações de alta potência.

Classificação de energia Avalanche: O IRF540 possui uma classificação de energia de avalanche, que especifica a quantidade de energia que o MOSFET pode absorver com segurança durante picos de tensão transitória.

Equivalente para IRF540


O IRF540 é um MOSFET de canal N comumente usado para aplicações de comutação de alta corrente, apresentando uma tensão máxima de fonte de drenagem de 100V e uma corrente de drenagem contínua de 28A. Vários MOSFETs oferecem características semelhantes e podem servir como substitutos:

IRF540N:

Uma versão aprimorada do IRF540, oferecendo desempenho aprimorado.
Tensão máxima da fonte de drenagem: 100V.
Corrente de drenagem contínua: 33A.
Menor resistência, resultando em maior eficiência.
IRFZ44N:

MOSFET de canal N com classificações de tensão e corrente comparáveis.
Tensão máxima da fonte de drenagem: 55V.
Corrente de drenagem contínua: 49A.
Classificação de tensão mais baixa; garantir compatibilidade com sua aplicação.
IRLZ44N:

MOSFET de canal N de nível lógico adequado para acionamento de porta de baixa tensão.
Tensão máxima da fonte de drenagem: 55V.
Corrente de drenagem contínua: 47A.
Ideal para interface com microcontroladores.
STP55NF06:

MOSFET de canal N com especificações semelhantes.
Tensão máxima da fonte de drenagem: 60V.
Corrente de drenagem contínua: 50A.
Adequado para diversas aplicações de comutação.
BUZ11:

MOSFET de canal N com classificações comparáveis.
Tensão máxima da fonte de drenagem: 50V.
Corrente de drenagem contínua: 30A.
Comumente usado em aplicações automotivas.
Ao selecionar uma substituição, considere os seguintes fatores:

Classificações de tensão e corrente: Certifique-se de que o MOSFET substituto possa lidar com os níveis de tensão e corrente necessários em seu circuito.
On-Resistance (RDS(on)): Menor resistência resulta em maior eficiência e redução na geração de calor.
Tensão limite do portão: Verifique se a tensão de acionamento do portão em seu projeto é suficiente para ligar totalmente o MOSFET.
Tipo de pacote e configuração de pinos: confirme se o pacote físico e a pinagem são compatíveis com o layout do seu circuito.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

Ligação URL



ALLDATASHEET é útil para você?  [ DONATE ] 

Sobre Alldatasheet   |   Publicidade   |   Contato conosco   |   Privacy Policy   |   Link para a ficha técnica    |   roca de Link   |   Lista de Fabricantes
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com