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Fabricante Electrônico

IRF520 Folha de dados, PDF

Numero de Pecas buscadas : coincidente com & começa com "IRF520" - Total : 55 ( 1/3 Page)

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
STMicroelectronics	IRF520	181Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS Jun-1993
Vishay Siliconix	IRF520	158Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
	IRF520	282Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF520	135Kb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Intersil Corporation	IRF520	69Kb/7P	9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF520	798Kb/3P	IRF120-123/IRF520-523 MTP10N08/10N10 N-Channel Power MOSFETs
	IRF520	798Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
	IRF520	798Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Fairchild Semiconductor	IRF520	166Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF520	338Kb/5P	N-Channel Power Mosfets,
Supertex, Inc	IRF520	74Kb/2P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs
SYC Electronica	IRF520	221Kb/8P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier	IRF520	183Kb/6P	HEXFET® Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF520	393Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
List of Unclassifed Man...	IRF520	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF520A	243Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF520A	280Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
STMicroelectronics	IRF520FI	181Kb/9P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS Jun-1993
Inchange Semiconductor ...	IRF520FI	393Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF520L	185Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)

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Breve descrição de IRF520

O IRF520 é um MOSFET (Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor) de potência de canal N projetado para aplicações de comutação e amplificação de média potência. Fabricado pela International Rectifier e amplamente disponível em diversos fornecedores, o IRF520 é comumente utilizado em controle de motores CC, iluminação LED, acionamento de relés e circuitos de alimentação.

O IRF520 pode suportar uma tensão dreno-fonte (V_DS) de até 100 V e uma corrente de dreno contínua (I_D) de até 9,2 A (com dissipação de calor adequada). Ele apresenta um R_DS(on) típico de cerca de 0,27 ohms, permitindo que conduza corrente eficientemente quando totalmente ligado. Embalado em um gabinete TO-220 padrão, é fácil de montar e resfriar, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações through-hole.

Embora comumente utilizado em projetos de hobby, especialmente por meio de placas breakout IRF520, é importante observar que o IRF520 não é um MOSFET de nível lógico, o que significa que ele pode não ligar totalmente com um sinal lógico de 5 V de um Arduino ou outro microcontrolador sem perda de desempenho. Para aplicações que exigem alta eficiência em baixas tensões de porta, um MOSFET de nível lógico como o IRLZ44N costuma ser uma escolha melhor.

No geral, o IRF520 é um transistor de potência amplamente utilizado e confiável para comutação e controle de potência em aplicações de tensão e corrente moderadas, particularmente em eletrônica educacional e para hobby.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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