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Fabricante Electrônico

IRF510 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	IRF510	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510	158Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Analog Devices	IRF510	2Mb/13P	Analog Devices Wiki 7/12/22
Supertex, Inc	IRF510	70Kb/2P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
Fairchild Semiconductor	IRF510	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Intersil Corporation	IRF510	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
International Rectifier	IRF510	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Harris Corporation	IRF510	71Kb/7P	4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated
Inchange Semiconductor ...	IRF510	45Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF510	374Kb/5P	N-Channel Power Mosfets
SYC Electronica	IRF510	132Kb/6P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF510	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF510-513	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Fairchild Semiconductor	IRF510A	252Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRF510N	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510N	176Kb/9P	Power MOSFET 30-May-11
International Rectifier	IRF510N	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Intersil Corporation	IRF510N	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510N	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated

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Breve descrição de IRF510

O IRF510 é um transistor MOSFET de canal n amplamente utilizado. Os MOSFETs (transistores de efeito de campo semicondutores de óxido de metal) são um tipo de transistor usado para amplificar ou alternar sinais eletrônicos em vários dispositivos, de pequenos eletrônicos a sistemas elétricos em larga escala.

O IRF510, em particular, é conhecido por sua facilidade de unidade, capacidade de manuseio de corrente relativamente alta e eficiência. É frequentemente utilizado em aplicações como comutação de fontes de alimentação, controles de motor, inversores, helicópteros, amplificadores de áudio e motoristas de alta velocidade.

Aqui estão algumas das principais características do MOSFET IRF510:

VDSS (tensão de decomposição da fonte de drenagem): pode lidar com uma tensão máxima de fonte de drenagem, normalmente em torno de 100V, o que significa que pode ser usado em circuitos com requisitos de alta tensão.

ID (corrente de drenagem contínua): Isso especifica a quantidade de corrente que pode fluir através do dreno continuamente, com o IRF510 geralmente classificado em torno de 5.6a.

RDS (ON) (em resistência à fonte de drenagem): essa é a resistência entre o dreno e a fonte quando o transistor está ligado. Para o IRF510, isso geralmente é bastante baixo, o que o torna eficiente em termos de dissipação de energia.

VGS (TH) (tensão do limite do portão): Esta é a tensão na qual o MOSFET começa a ligar. Para o IRF510, a tensão do limite do portão é tipicamente em torno de 2V a 4V.

Dissipação de energia: A potência máxima que o IRF510 pode suportar sem exceder sua temperatura máxima de junção é tipicamente em torno de 43 watts, o que é adequado para muitas aplicações.

Configurações: está disponível em um pacote TO-220, adequado para montagem de orifício por meio, facilitando o uso na prototipagem e produção.

Temperatura de operação: geralmente opera dentro de uma faixa de temperatura de -55 ° C a +175 ° C, fornecendo uma boa faixa para vários ambientes.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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