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Fabricante Electrônico

IRF4905 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF4905	108Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF4905	720Kb/8P	Advanced Process Technology
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	IRF4905	952Kb/9P	-60V P-Channel MOSFET Rev:2023A2
SYC Electronica	IRF4905	695Kb/8P	MOSFET P 55V 74A 0.02 OHM
Inchange Semiconductor ...	IRF4905	348Kb/2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
Guangdong Youtai Semico...	IRF4905	554Kb/8P	-55V P-Channel MOSFET
International Rectifier	IRF4905L	163Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF4905L	4Mb/10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF4905L	273Kb/2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF4905LPBF	357Kb/11P	HEXFET Power MOSFET
Guangdong Youtai Semico...	IRF4905P	554Kb/8P	-55V P-Channel MOSFET
International Rectifier	IRF4905PBF	178Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
VBsemi Electronics Co.,...	IRF4905PBF	1Mb/7P	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
International Rectifier	IRF4905PBF	187Kb/9P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRF4905S	163Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF4905S	4Mb/10P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRF4905S	174Kb/11P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF4905S	657Kb/5P	isc P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF4905SPBF	357Kb/11P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRF4905SPBF	366Kb/12P	Advanced Process Technology

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Breve descrição de IRF4905

O IRF4905 é um MOSFET de potência de canal P de alto desempenho, projetado para uso em aplicações de comutação, gerenciamento de energia e controle de carga, onde é necessário o manuseio eficiente de altas correntes e tensões. Fabricado pela International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies), o IRF4905 é comumente utilizado em acionamentos de motores CC, proteção contra inversão de polaridade, sistemas de gerenciamento de baterias e circuitos de comutação lado-baixa/lado-alta.

Este MOSFET é classificado para uma tensão dreno-fonte (V_DS) de -55 V e pode suportar correntes de dreno contínuas de até 74 A com dissipação de calor adequada. Ele apresenta uma resistência de ativação muito baixa (R_DS(on)) de cerca de 0,02 ohms, o que minimiza as perdas por condução e a dissipação de calor durante a operação. Seu rápido desempenho de comutação e alta capacidade de corrente o tornam ideal para projetos de alta velocidade e alta eficiência energética.

Embalado em um invólucro TO-220AB, o IRF4905 oferece excelente desempenho térmico e fácil integração em projetos through-hole. Como um dispositivo de canal P, é adequado para comutação no lado alto, especialmente quando circuitos simples de acionamento de porta são necessários em sistemas de baixa tensão.

No geral, o IRF4905 é um MOSFET de canal P robusto e eficiente que fornece uma solução confiável e econômica para aplicações de comutação de alta corrente e controle de potência em eletrônicos de consumo e industriais.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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