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Fabricante Electrônico

IRF3710 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF3710	94Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
Nell Semiconductor Co.,...	IRF3710	346Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710	715Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF3710	65Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
First Silicon Co., Ltd	IRF3710	280Kb/2P	N -Channel Power MOSFET (100V/59A)
International Rectifier	IRF3710L	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710L	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710LPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
International Rectifier	IRF3710PBF	185Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRF3710PBF	1Mb/7P	57A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
International Rectifier	IRF3710PBF	224Kb/8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRF3710S	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710S	189Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710SPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
	IRF3710SPBF	309Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRLPBF	297Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRRPBF	297Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF3710Z	270Kb/12P	AUTOMOTIVE MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710Z	4Mb/12P	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF3710Z	339Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

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Breve descrição de IRF3710

O IRF3710 é um MOSFET de potência de canal N de alto desempenho projetado para aplicações de comutação e controle de potência de alta velocidade em eletrônicos de consumo e industriais. Fabricado pela International Rectifier (agora parte da Infineon Technologies), o IRF3710 é comumente utilizado em acionamentos de motores, conversores CC-CC, fontes de alimentação, inversores e outros sistemas de gerenciamento de energia de alta eficiência.

Este dispositivo é classificado para uma tensão dreno-fonte (V_DS) de 100 V e pode suportar até 57 A de corrente de dreno contínua com dissipação de calor adequada. Ele apresenta uma resistência de ativação muito baixa (R_DS(on)) de cerca de 0,02 ohms, o que reduz as perdas por condução e melhora a eficiência geral em aplicações de comutação. Sua alta velocidade de comutação e baixa carga de porta o tornam ideal para conversão de energia de alta frequência e controle PWM.

Embalado em um gabinete padrão TO-220, o IRF3710 oferece excelente desempenho térmico e é fácil de integrar em projetos de PCB through-hole. Ele requer uma tensão de acionamento de porta de cerca de 10 V para otimização completa, tornando-o compatível com a maioria dos circuitos integrados de driver MOSFET e circuitos de controle de nível lógico (com interfaceamento apropriado).

No geral, o IRF3710 é um MOSFET de canal N robusto, eficiente e amplamente utilizado, que fornece uma solução confiável para aplicações de comutação de média a alta potência, onde baixas perdas e operação rápida são essenciais.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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