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Fabricante Electrônico

BD136 Folha de dados, PDF

Numero de Pecas buscadas : coincidente com & começa com "BD136" - Total : 84 ( 1/5 Page)

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
STMicroelectronics	BD136	148Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
NXP Semiconductors	BD136	44Kb/8P	PNP power transistors 1999 Apr 12
STMicroelectronics	BD136	44Kb/4P	PNP SILICON TRANSISTORS Jun-1997
ON Semiconductor	BD136	315Kb/5P	PNP Epitaxial Silicon Transistor November, 2019 ??Rev. 1
STMicroelectronics	BD136	158Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
STMicroelectronics	BD136	76Kb/4P	PNP SILICON TRANSISTORS Nov-2001
ON Semiconductor	BD136	42Kb/4P	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor April, 2005 ??Rev. 12
STMicroelectronics	BD136	157Kb/9P	Complementary low voltage transistor 22-May-2008
TRANSYS Electronics Lim...	BD136	57Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
TRANSYS Electronics Lim...	BD136	53Kb/2P	PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS
Savantic, Inc.	BD136	111Kb/3P	Silicon PNP Power Transistors
Unisonic Technologies	BD136	88Kb/2P	PNP SILICON TRANSISTOR
KEC(Korea Electronics)	BD136	69Kb/1P	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Inchange Semiconductor ...	BD136	133Kb/3P	Silicon PNP Power Transistors
Comset Semiconductor	BD136	74Kb/3P	SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS.
Fairchild Semiconductor	BD136	47Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
Shanghai Shunye Electro...	BD136	194Kb/2P	PNP General Purpose Transistor V2.22
Fairchild Semiconductor	BD136	41Kb/4P	Medium Power Linear and Switching Applications
Fairchild Semiconductor	BD136	47Kb/4P	PNP Epitaxial Silicon Transistor
Savantic, Inc.	BD136	112Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors

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Breve descrição de BD136

O BD136 é uma designação de peça normalmente usada para um transistor de junção bipolar NPN (BJT). É um transistor de uso geral comumente usado em aplicações de amplificação e comutação de baixa potência.

Aqui estão algumas especificações gerais para o transistor BD136:

Tensão máxima de coletor-base (VCBO): normalmente em torno de 45 volts
Tensão máxima do coletor-emissor (VCEO): normalmente em torno de 45 volts
Tensão máxima da base do emissor (vebo): normalmente em torno de 5 volts
Corrente máxima do coletor (IC): normalmente em torno de 1,5 amperes
Dissipação de energia máxima (PD): normalmente em torno de 12,5 watts
Tipo de pacote: normalmente to-126 (um pacote amplamente usado por orifício)
O transistor BD136 é comumente usado em aplicações como amplificadores de áudio, circuitos de comutação e aplicações de baixa potência de uso geral.

Equivalente para BD136

Um substituto adequado para o transistor BD136 é o TIP31. O TIP31 é um transistor NPN complementar que pode servir como substituto para o BD136 em muitas aplicações.

Aqui estão algumas semelhanças importantes entre os transistores BD136 e TIP31:

Tipo de transistor: Os transistores BD136 e TIP31 são transistores de junção bipolar NPN (BJTS).

Classificações de tensão e corrente: as classificações de tensão e corrente do BD136 e TIP31 são comparáveis. Ambos os transistores possuem classificações de tensão máxima de coletor máximo (IC) e tensão máxima do coletor-emissor (VCEO).

Tipo de pacote: os transistores BD136 e TIP31 geralmente estão disponíveis no mesmo tipo de pacote, como TO-220 ou TO-126. Esses pacotes são comumente usados e fornecem boa dissipação de calor.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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