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Fabricante Electrônico

BC517 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
ON Semiconductor	BC517	148Kb/6P	Darlington Transistors(NPN Silicon) 1996
NXP Semiconductors	BC517	43Kb/8P	NPN Darlington transistor 1999 Apr 23
ON Semiconductor	BC517	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BC517	79Kb/1P	NPN Silicon Darlington Transistor
ON Semiconductor	BC517	82Kb/6P	Darlington Transistors March, 2007 ??Rev. 4
	BC517	621Kb/6P	NPN Darlington Transistor September-2017, Rev. 2
	BC517	171Kb/5P	NPN Darlington Transistor December, 2023 - Rev. 3
Motorola, Inc	BC517	206Kb/6P	Darlington Transistors
Siemens Semiconductor G...	BC517	138Kb/4P	NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current)
KEC(Korea Electronics)	BC517	181Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR)
Micro Electronics	BC517	68Kb/1P	COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	BC517	29Kb/3P	NPN Darlington Transistor
KEC(Korea Electronics)	BC517	31Kb/1P	TO-92 PACKAGE
KEC(Korea Electronics)	BC517	40Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	BC517	32Kb/3P	NPN Darlington Transistor
ON Semiconductor	BC517-D74Z	621Kb/6P	NPN Darlington Transistor September-2017, Rev. 2
ON Semiconductor	BC517-D74Z	171Kb/5P	NPN Darlington Transistor December, 2023 - Rev. 3
Cystech Electonics Corp...	BC517A3	270Kb/6P	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
ON Semiconductor	BC517G	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3
ON Semiconductor	BC517RL1	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3

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Breve descrição de BC517

O BC517 é um transistor de junção bipolar de uso geral (BJT) comumente usado para aplicações de amplificação e comutação de baixa potência. Aqui estão os principais recursos e especificações do BC517:

Tipo de transistor: O BC517 é um transistor de junção bipolar PNP (BJT), o que significa que consiste em três camadas de semicondutores: dopado com N (base), dopado por P (emissor) e dopado N (coletor).

Amplificação de baixa potência: O BC517 é normalmente usado para aplicações de amplificação de baixa potência, onde é necessária uma pequena amplificação de sinal.

Configuração do PNP: Sendo um transistor PNP, o BC517 opera com uma tensão positiva na base em relação ao emissor para operação normal.

Tensão baixa do coletor-emissor (VCEO): A tensão máxima do coletor-emissor (VCEO) do BC517 é tipicamente em torno de -30 volts, indicando sua adequação a aplicações de baixa tensão.

Ganho de alta corrente (HFE): o BC517 normalmente possui um alto ganho de corrente CC (HFE), permitindo uma amplificação eficiente de pequenos sinais de entrada.

Dissipação de Média de Energia: O BC517 foi projetado para lidar com níveis médios de potência, tornando -o adequado para aplicações onde é necessária amplificação de energia moderada.

Pacote para 92: ele geralmente está disponível em um pacote para 92, que oferece uma montagem fácil em uma placa de circuito impressa (PCB) e bom desempenho térmico para aplicações de baixa potência.

APLICAÇÃO: O BC517 é comumente usado em circuitos amplificadores de baixa potência, circuitos de comutação de sinal, drivers de LED, drivers de retransmissão e outras aplicações em que é necessária uma pequena amplificação ou comutação de sinal.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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