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Fabricante Electrônico

BAS116 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	BAS116	52Kb/8P	Low-leakage diode 1999 May 26
Diodes Incorporated	BAS116	281Kb/4P	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Rev 11
Diodes Incorporated	BAS116	44Kb/2P	Introducing Very Low Leakage SOT-23 Diodes: DS30233 Rev. 9 - 2
Infineon Technologies A...	BAS116	444Kb/4P	Silicon Low Leakage Diode Mar-10-2004
Diodes Incorporated	BAS116	344Kb/3P	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE DS30233 Rev. 7 - 2
Taiwan Semiconductor Co...	BAS116	206Kb/4P	225mW, SMD Switching Diode
Diodes Incorporated	BAS116	116Kb/3P	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Rev. 9 - 2 May 2008
Infineon Technologies A...	BAS116	72Kb/6P	Silicon Low Leakage Diode 2007-04-19
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BAS116	177Kb/2P	LOW LEAKAGE SWITCHING DIODE
Taiwan Semiconductor Co...	BAS116	68Kb/2P	225mW SMD Switching Diode
NXP Semiconductors	BAS116	124Kb/8P	Low-leakage diode 2003 Dec 12
Won-Top Electronics	BAS116	95Kb/4P	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE October, 2018
Shanghai Shunye Electro...	BAS116	673Kb/4P	SW ITCHING DIODE V2.22
Pan Jit International I...	BAS116	142Kb/3P	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES
Weitron Technology	BAS116	406Kb/2P	Surface Mount Switching Diodes
SeCoS Halbleitertechnol...	BAS116	266Kb/3P	Surface Mount Switching Diode
Micro Commercial Compon...	BAS116	153Kb/2P	225mW Switching Diode
Shunxin Technology Co.,...	BAS116	488Kb/3P	SWITCHING DIODE
Continental Device Indi...	BAS116	135Kb/3P	SILICON PLANAR SWITCHING DIODE
TAITRON Components Inco...	BAS116	194Kb/4P	Three Terminals SMD Low Leakage Switching Diode

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Breve descrição de BAS116

O Bas116 é uma designação de peça normalmente usada para um diodo de comutação de alta velocidade. É um pequeno diodo de sinal com uma velocidade de comutação rápida e tempo de recuperação reversa baixa.

Aqui estão algumas especificações gerais para o diodo Bas116:

Tensão reversa máxima (VR): normalmente em torno de 85 volts
Corrente média máxima para a frente (se (AV)): normalmente em torno de 100 mA
Corrente máxima de pico de pico de onda à frente (IFSM): normalmente em torno de 400 mA (para uma largura de pulso especificada e taxa de repetição)
Droga de tensão para a frente (VF): normalmente em torno de 1V a uma corrente de frente de 100 mA
Corrente de vazamento reverso (IR): normalmente na faixa de microamperes
Tipo de pacote: normalmente SOT-23 (um pequeno pacote de montagem de superfície)
O diodo Bas116 é comumente usado em aplicações como comutação de alta velocidade, retificação de sinal e circuitos de proteção.

Equivalente para BAS116

O BAS116 é um diodo de comutação de alta velocidade com uma classificação de corrente máxima de 225mA e uma classificação de tensão máxima de 100V. Se você está procurando um substituto para este diodo, pode considerar as seguintes alternativas que possuem especificações semelhantes:

BAT54S - Este é um diodo Schottky de comutação dupla com uma classificação de corrente máxima de 200mA e uma classificação de tensão máxima de 30V. Possui características elétricas semelhantes ao BAS116 e está disponível em um pacote SOT-23.

1N4148WS - Este é um diodo de comutação de alta velocidade com uma classificação de corrente máxima de 200mA e uma classificação de tensão máxima de 75V. Possui características elétricas semelhantes ao BAS116 e está disponível em um pacote SOD-323.

BAV199 - Este é um diodo de comutação de alta velocidade duplo com uma classificação de corrente máxima de 225mA e uma classificação de tensão máxima de 85V. Possui características elétricas semelhantes ao BAS116 e está disponível em um pacote SOT-23.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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