2SC4793 Folha de dados, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricante Electrônico

2SC4793 Folha de dados, PDF

Numero de Pecas buscadas : coincidente com & começa com "2SC4793" - Total : 34 ( 1/2 Page)

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Toshiba Semiconductor	2SC4793	147Kb/2P	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS)
Unisonic Technologies	2SC4793	46Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Savantic, Inc.	2SC4793	246Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2SC4793	44Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	2SC4793	166Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Unisonic Technologies	2SC4793	52Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor	2SC4793	131Kb/4P	Power Amplifier Applications
Savantic, Inc.	2SC4793	247Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC4793	219Kb/4P	Power Amplifier Applications
Micro Commercial Compon...	2SC4793	598Kb/3P	NPN Silicon Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2SC4793	122Kb/2P	Silicon NPN Power Transistor
Inchange Semiconductor ...	2SC4793	249Kb/2P	isc Silicon NPN Power Transistor
Thinki Semiconductor Co...	2SC4793	504Kb/3P	20 Watt Silicon Epitaxial Planar Process NPN Power Transistor
Toshiba Semiconductor	2SC4793	1Mb/73P	Bipolar Small-Signal Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2SC4793	44Kb/3P	Silicon NPN Power Transistors
Unisonic Technologies	2SC4793	52Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Shenzhen Luguang Electr...	2SC4793	1Mb/2P	Silicon NPN Power Transistor
JILIN SINO-MICROELECTRO...	2SC4793-O-MF-N-B	219Kb/4P	Power Amplifier Applications
Unisonic Technologies	2SC4793-TF3-T	46Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR
Unisonic Technologies	2SC4793-X-TF3-T	52Kb/4P	NPN SILICON TRANSISTOR

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Breve descrição de 2SC4793

O 2SC4793 é um transistor de junção bipolar de alta velocidade e alta velocidade (BJT) normalmente usado em aplicações de amplificador de potência e alta frequência. Aqui estão os principais recursos e especificações do 2SC4793:

Tipo de transistor: O 2SC4793 é um transistor de junção bipolar NPN, o que significa que consiste em três camadas de semicondutores: dopado por P (base), N daw (emissor) e dopado por P (coletor).

Capacidade de alta tensão: o 2SC4793 foi projetado para lidar com classificações de tensão de coletor-emissor relativamente altas (VCEO), normalmente na faixa de várias centenas de volts, tornando-o adequado para uso em aplicações que requerem amplificação de alta tensão.

Comutação de alta velocidade: este transistor é capaz de comutação de alta velocidade, tornando-o adequado para uso em aplicações de alta frequência, como amplificadores e osciladores de RF (Radiofrequência).

Dissipação de alta potência: O 2SC4793 é capaz de dissipar níveis de potência relativamente altos devido à sua alta tensão e classificação de corrente, permitindo que ela seja usada em circuitos amplificadores de potência.

Tensão de baixa saturação: normalmente exibe baixa tensão de saturação (VCE (SAT)), o que é desejável para minimizar as perdas de energia e maximizar a eficiência nas aplicações de comutação.

Alto ganho de corrente: o 2SC4793 normalmente possui alto ganho de corrente CC (HFE), garantindo amplificação eficiente dos sinais de entrada em circuitos do amplificador.

Pacote TO-220: Ele geralmente está disponível em um pacote TO-220, que oferece boa condutividade térmica e robustez mecânica, tornando-o adequado para uso em vários circuitos eletrônicos e montagem de dissipador de calor.

APLICAÇÃO: O 2SC4793 é comumente usado em circuitos de amplificadores de áudio, circuitos de RF de alta frequência, fontes de alimentação de comutação e outras aplicações que requerem recursos de alta tensão, alta velocidade e alta potência.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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