2SC2073 Folha de dados, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricante Electrônico

2SC2073 Folha de dados, PDF

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Mospec Semiconductor	2SC2073	114Kb/3P	POWER TRANSISTORS(1.5A,150V,25W)
TRANSYS Electronics Lim...	2SC2073	59Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Savantic, Inc.	2SC2073	129Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	2SC2073	270Kb/2P	isc Silicon NPN Power Transistor
Thinki Semiconductor Co...	2SC2073	530Kb/3P	PNP Silicon Epitaxial Power Transistor
Thinki Semiconductor Co...	2SC2073	766Kb/3P	NPN Silicon Epitaxial Power Transistor
Savantic, Inc.	2SC2073	130Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Unisonic Technologies	2SC2073	122Kb/3P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Micro Commercial Compon...	2SC2073	769Kb/2P	NPN Silicon Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	2SC2073	124Kb/2P	Silicon NPN Power Transistor
Jinan Jing Heng Electro...	2SC2073	1Mb/7P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
Nanjing International G...	2SC2073	1,013Kb/3P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
SYC Electronica	2SC2073	153Kb/3P	NPN POWER 150V 1.5A TO-220
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SC2073	125Kb/1P	TRANSISTOR (NPN)
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC2073	1Mb/6P	Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package.
Jiangsu Changjiang Elec...	2SC2073	508Kb/2P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
Toshiba Semiconductor	2SC2073A	130Kb/2P	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, VERTICAL OUTPUT APPLICATIONS)
Toshiba Semiconductor	2SC2073A	156Kb/3P	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS)
Foshan Blue Rocket Elec...	2SC2073A	975Kb/6P	Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.
Toshiba Semiconductor	2SC2073A	156Kb/3P	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS)

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Breve descrição de 2SC2073

O 2SC2073 é um transistor planar epitaxial NPN de silício projetado principalmente para aplicações de amplificação e comutação de baixo nível. Aqui estão seus principais recursos e especificações:

Tipo: transistor de junção bipolar npn (BJT).

Polaridade: transistor NPN, o que significa que possui uma configuração negativa-positiva-negativa.

Tensão máxima de coletor-base (VCBO): normalmente em torno de 25 volts.

Tensão máxima do coletor-emissor (VCEO): Geralmente em torno de 15 volts.

Tensão máxima da base do emissor (vebo): normalmente em torno de 5 volts.

Corrente máxima do coletor (IC): geralmente na faixa de algumas centenas de miliamperes.

Dissipação de energia (PTOT): A potência máxima que o transistor pode manusear sem danos, normalmente na faixa de algumas centenas de miliwatts a um watt.

Frequência de transição (FT): A frequência máxima na qual o transistor pode efetivamente amplificar sinais, normalmente na faixa de algumas centenas de megahertz.

Pacote: o transistor 2SC2073 é comumente disponível em pacotes de 92 ou similares, adequados para montagem de PCB de orifício por meio do buraco.

APLICAÇÕES: Devido aos seus recursos de amplificação de baixo nível, o 2SC2073 pode ser usado em várias aplicações, como amplificadores de áudio, amplificadores de pequenos sinais, amplificadores de tensão e circuitos de comutação.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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