2N7002DW Folha de dados, PDF - Datasheet Search Engine

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Termina em	2N7002DW(5) E2N7002DW(1) M2N7002DW(1) P2N7002DW(1)
Included	2N7002DW(10) 2N7002DW1(3) 2N7002DW_(1)

Fabricante Electrônico

2N7002DW Folha de dados, PDF

Numero de Pecas buscadas : coincidente com & começa com "2N7002DW" - Total : 88 ( 1/5 Page)

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Diodes Incorporated	2N7002DW	66Kb/3P	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30120 Rev. 2P-1
Diodes Incorporated	2N7002DW	164Kb/3P	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30120 Rev. 8 - 2
Infineon Technologies A...	2N7002DW	283Kb/9P	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Rev.2.2 2010-03-25
Diodes Incorporated	2N7002DW	89Kb/4P	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30120 Rev. 12 - 2
Infineon Technologies A...	2N7002DW	448Kb/9P	Dual N-channel Rev.2.3 2014-09-19
ON Semiconductor	2N7002DW	264Kb/6P	Field Effect Transistor - N-Channel, Enhancement Mode June, 2020 ??Rev. 3
Diodes Incorporated	2N7002DW	402Kb/5P	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 17
Weitron Technology	2N7002DW	77Kb/3P	Dual N-Channel MOSFET
Pan Jit International I...	2N7002DW	172Kb/5P	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Pan Jit International I...	2N7002DW	164Kb/5P	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002DW	114Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Fairchild Semiconductor	2N7002DW	258Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002DW	142Kb/3P	Small Signal MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002DW	102Kb/2P	N-Channel MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002DW	306Kb/6P	300m Amps, 60 Volts DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002DW	190Kb/2P	N-Channel MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002DW	291Kb/6P	300mA, 60V DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET
EVER SEMICONDUCTOR CO.,...	2N7002DW	1Mb/4P	N-Channel MOSFET Rev:2022A2
Shenzhen Luguang Electr...	2N7002DW	3Mb/5P	SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs
SHIKUES Electronics	2N7002DW	2Mb/4P	Plastic-Encapsulate MOSFETs

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Breve descrição de 2N7002DW

O 2N7002DW é um número de peça específico para um MOSFET de canal N pequeno (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal-óxido). Os MOSFETs são dispositivos semicondutores usados em circuitos eletrônicos para várias aplicações, incluindo amplificação, comutação e regulação de tensão. O prefixo 2n geralmente indica uma série de transistores, e a parte 7002DW da designação fornece detalhes específicos sobre as características desse MOSFET específica.

Aqui estão algumas características e especificações importantes do 2N7002DW MOSFET:

Tipo: 2N7002DW é um MOSFET de canal n.

Pacote: normalmente vem em um pequeno pacote de montagem de superfície, como um pacote SOT-363 ou SOT-323, que é comumente usado para MOSFETs de sinalizador pequeno.

Classificação de tensão: O MOSFET 2N7002DW normalmente possui uma tensão limiar relativamente baixa (VTH), que pode variar, mas geralmente é de 1,5 a 3 volts. Essa tensão limite determina quando o MOSFET começa a conduzir.

Classificações atuais: As classificações de corrente específicas podem variar dependendo do número da peça na série 2N7002. No entanto, os MOSFETs 2N7002 típicos são projetados para aplicações de potência de baixa a moderada com classificações de corrente de drenagem (ID) normalmente na faixa de 100 miliamperes (MA) a 200 miliamperes.

Velocidade de comutação: os MOSFETs são conhecidos por seus recursos de comutação rápida, tornando-os adequados para aplicativos de alta frequência.

APLICAÇÕES: Os MOSFETs 2N7002DW são comumente usados em várias aplicações, incluindo amplificação de sinal, comutação de pequeno sinal, mudança de nível e como blocos de construção em circuitos analógicos e digitais.

Polaridade: os MOSFETs são dispositivos unipolares, o que significa que são controlados por tensão e não por corrente. MOSFETS N-CANNAL Como o 2N7002DW permitem que a corrente flua do dreno para a fonte quando uma tensão positiva é aplicada ao portão em relação à fonte.

Dissipação de calor: Dependendo da corrente e da dissipação de energia, o MOSFET pode exigir considerações de calor, como o queixoso adequado, para gerenciar o calor gerado durante a operação.

Equivalente para 2N7002DW

O 2N7002DW é um MOSFET específico do canal n (transistor de efeito de campo de óxido de óxido de metal-semicondutor) usado para aplicações de comutação e amplificação. Se você estiver procurando um substituto para o MOSFET 2N7002DW, considere usar um MOSFET de canal n semelhante com características e classificações elétricas comparáveis. Aqui estão algumas substituições possíveis:

2N7002: Esta é a versão não-SMD do 2N7002DW com especificações semelhantes e pode ser usada como substituição direta.

BSS138: Este é outro MOSFET de canal n comumente usado com classificações comparáveis que podem ser usadas como substituição alternativa.

IRF520: Este é um MOSFET de maior potência com características semelhantes ao 2N7002DW. Pode ser usado se forem necessários recursos de manuseio de corrente mais alta ou de tensão.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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