2N60 Folha de dados, PDF - Datasheet Search Engine

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Começa com	2N60(944) 2N60-(20) 2N602(54) 2N603(118) 2N604(100) 2N605(137) 2N606(10) 2N607(103) 2N608(18) 2N609(26) 2N60A(1) 2N60B(1) 2N60D(7) 2N60E(3) 2N60F(4) 2N60G(70) 2N60H(1) 2N60K(62) 2N60L(164) 2N60M(6) 2N60N(3) 2N60Z(18)
Termina em	2N60(288) 02N60(35) D2N60(24) 12N60(62) F2N60(22) U2N60(15) B2N60(4) I2N60(6) P2N60(17) S2N60(3) 32N60(4) V2N60(2) T2N60(5) M2N60(4) 42N60(1) R2N60(3) W2N60(3) L2N60(4) 22N60(9) Q2N60(1) 72N60(2) J2N60(2) A2N60(1) Y2N60(2) X2N60(1) E2N60(1) K2N60(1) 82N60(1) *52N60(2)
Included	2N60(1102) 2N60A(3) 2N60C(2) 2N60D(2) 2N60G(18) 2N60H(9) 2N60K(7) 2N60L(18) 2N60S(6) 2N60_(6)

Fabricante Electrônico

2N60 Folha de dados, PDF

Numero de Pecas buscadas : coincidente com & começa com "2N60" - Total : 972 ( 1/49 Page)

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Unisonic Technologies	2N60	142Kb/8P	2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
Estek Electronics Co. L...	2N60	573Kb/5P	N2 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET
Unisonic Technologies	2N60	224Kb/6P	2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
Unisonic Technologies	2N60	245Kb/6P	2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
Nell Semiconductor Co.,...	2N60	391Kb/8P	N-Channel Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2N60	157Kb/2P	Fast Switching
Chongqing Pingwei Enter...	2N60	201Kb/2P	2A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET
DIYI Electronic Technol...	2N60	1Mb/9P	600V N-Channel Power MOSFET
Zibo Seno Electronic En...	2N60	450Kb/6P	N-CHANNEL MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2N60	316Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
SUNMATE electronic Co.,...	2N60	2Mb/8P	N-CHANNEL POWER MOSFET
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	2N60	389Kb/7P	N-CHANNEL MOSFET
VBsemi Electronics Co.,...	2N60	1Mb/9P	Power MOSFET
Jiangsu High diode Semi...	2N60	2Mb/3P	TO-251 Plastic-Encapsulate MOSFET
Guangdong Kexin Industr...	2N60	60Kb/2P	N-Channel MOSFET
Jiangsu Donghai Semicon...	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
	2N60	1Mb/13P	2A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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Breve descrição de 2N60

O 2N60 é um MOSFET de canal n que é otimizado para aplicações de alta tensão, oferecendo recursos como comutação rápida, carga baixa e baixa resistência no estado. Também foi projetado para suportar condições de avalanche acidentadas. Esses recursos o tornam comumente usado em fontes de alimentação, controles de motor PWM, conversores CC para CC e circuitos de ponte.

Aqui está um resumo das características do 2N60:

Escorra para a tensão de origem (v_dss): pode tolerar até 600V, que é a tensão máxima entre o dreno e a fonte quando o MOSFET é desligado.

Portão para a tensão de origem (V_GSS): Ele suporta um portão para a tensão de origem de ± 30V.

Corrente de drenagem (I_D): O 2N60 pode sustentar uma corrente de drenagem de 2a, indicando a corrente máxima que pode fluir através do terminal de drenagem continuamente.

Dissipação de energia (P_D): possui uma classificação de dissipação de energia de 23W, ditando quanta energia pode suportar antes de exceder a temperatura máxima da junção.

Temperatura da junção (T_J): A temperatura da junção operacional pode atingir até 150 ° C.

Temperatura de armazenamento (T_STG): O componente pode ser armazenado a temperaturas que variam de -55 a +150 ° C.

Para implementações específicas, o dispositivo oferece uma baixa resistência de 3,8Ω a um V_GS de 10V. A carga baixa da porta (típica em 9,0NC) e a baixa capacitância de transferência reversa (CRSS = 5,0 pf) facilitam a comutação rápida e a eficiência aprimorada. Essas especificações são voltadas para garantir que o MOSFET possa fornecer o desempenho necessário nas tarefas de gerenciamento de energia com eficiência e confiabilidade.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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