Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

32

2N3905, 2N3906

Switching Transistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Version 2004-01-20

Power dissipation – Verlustleistung

625 mW

Plastic case

TO-92

Kunststoffgehäuse

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard Pinning

1 = C

2 = B

3 = E

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Maximum ratings (T

Grenzwerte (T

2N3905, 2N3906

Collector-Emitter-voltage

B open

- V

CE0

40 V

Collector-Base-voltage

E open

- V

CE0

40 V

Emitter-Base-voltage

C open

- V

EB0

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

P

tot

625 mW

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I

C

100 mA

Peak collector current – Kollektorspitzenstrom

- I

CM

200 mA

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

T

j

150

/C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

- 55…+ 150

/C

Characteristics (T

Kennwerte (T

Min.

Typ.

Max.

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung

- I

- I

- V

CEsat

- V

CEsat

–

–

–

–

250 mV

400 mV

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung

- I

- I

- V

BEsat

- V

BEsat

–

–

–

–

850 mV

950 mV

Collector cutoff current – Kollektorreststrom

- V

- I

CEV

–

–

50 nA

Emitter cutoff current – Emitterreststrom

- V

- I

EBV

–

–

50 nA